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约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工

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约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工
论文目录
 
中文摘要第1-7 页
英文摘要第7-12 页
第一章 绪论第12-33 页
  §1.1 微系统简介第12-14 页
  §1.2 电化学在微系统中的应用第14-24 页
  §1.3 约束刻蚀剂层技术简介第24-26 页
  §1.4 本论文工作的目的和设想第26-30 页
  参考文献第30-33 页
第二章 实验第33-49 页
  §2.1 试剂、溶液、半导体材料及靶材第33-34 页
  §2.2 电极的制备和处理第34-35 页
  §2.3 实验装置第35 页
  §2.4 超精密电化学微加工驱动系统第35-37 页
  §2.5 镀膜技术——射频溅射第37-39 页
  §2.6 原子力显微镜技术第39-40 页
  参考文献第40-49 页
第三章 电化学模板电极的制备第49-55 页
  §3.1 电化学模板的特点第49-50 页
  §3.2 Si模板的导电镀层第50 页
  §3.3 Si模板引线的制作第50 页
  §3.4 电极的包封第50 页
  §3.5 电化学模板的性能测试第50-51 页
  参考文献第51-55 页
第四章 用规则模板对半导体GaAs的加工刻蚀第55-71 页
  §4.1 利用CELT刻蚀GaAs的化学体系第55-58 页
  §4.2 齿状模板对GaAs的加工刻蚀第58-60 页
  §4.3 金字塔状模板对GaAs的加工刻蚀第60-61 页
  §4.4 正六边形模板对GaAs的加工复制第61 页
  §4.5 本章小结第61-62 页
  参考文献第62-71 页
第五章 约束刻蚀剂层技术用作抛光平整的初步研究第71-77 页
  §5.1 现有的抛光技术第71 页
  §5.2 CELT技术用作抛光手段第71-72 页
  §5.3 对GaAs表面的抛光平整的初步结果第72-73 页
  参考文献第73-77 页
作者硕士期间发表和交流的论文第77-78 页
致谢第78页

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