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约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工
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约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工
论文目录
中文摘要
第1-7 页
英文摘要
第7-12 页
第一章 绪论
第12-33 页
§1.1 微系统简介
第12-14 页
§1.2 电化学在微系统中的应用
第14-24 页
§1.3 约束刻蚀剂层技术简介
第24-26 页
§1.4 本论文工作的目的和设想
第26-30 页
参考文献
第30-33 页
第二章 实验
第33-49 页
§2.1 试剂、溶液、半导体材料及靶材
第33-34 页
§2.2 电极的制备和处理
第34-35 页
§2.3 实验装置
第35 页
§2.4 超精密电化学微加工驱动系统
第35-37 页
§2.5 镀膜技术——射频溅射
第37-39 页
§2.6 原子力显微镜技术
第39-40 页
参考文献
第40-49 页
第三章 电化学模板电极的制备
第49-55 页
§3.1 电化学模板的特点
第49-50 页
§3.2 Si模板的导电镀层
第50 页
§3.3 Si模板引线的制作
第50 页
§3.4 电极的包封
第50 页
§3.5 电化学模板的性能测试
第50-51 页
参考文献
第51-55 页
第四章 用规则模板对半导体GaAs的加工刻蚀
第55-71 页
§4.1 利用CELT刻蚀GaAs的化学体系
第55-58 页
§4.2 齿状模板对GaAs的加工刻蚀
第58-60 页
§4.3 金字塔状模板对GaAs的加工刻蚀
第60-61 页
§4.4 正六边形模板对GaAs的加工复制
第61 页
§4.5 本章小结
第61-62 页
参考文献
第62-71 页
第五章 约束刻蚀剂层技术用作抛光平整的初步研究
第71-77 页
§5.1 现有的抛光技术
第71 页
§5.2 CELT技术用作抛光手段
第71-72 页
§5.3 对GaAs表面的抛光平整的初步结果
第72-73 页
参考文献
第73-77 页
作者硕士期间发表和交流的论文
第77-78 页
致谢
第78页
本篇论文共
78
页,
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。
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