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高功率GaAs光电导开关设计技术研究
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高功率GaAs光电导开关设计技术研究
论文目录
 
摘要第1-4 页
Abstract第4-7 页
第一章 绪论第7-15 页
　　· 引言第7 页
　　· 光导开关简介第7-13 页
　　　　· 光导开关结构第7-8 页
　　　　· 光电导开关发展史第8-9 页
　　　　· 光电导开关研究现状第9-12 页
　　　　· 存在的问题第12-13 页
　　· 研究意义第13-14 页
　　· 论文主要工作第14-15 页
第二章 光电导开关理论计算第15-25 页
　　· 线性模式下载流子寿命与激光脉宽关系研究第15-19 页
　　· 非线性模式场强阈值与载流子浓度关系第19-25 页
第三章 GaAs材料第25-34 页
　　· 光导开关材料对比第25 页
　　· GaAs材料补偿机制第25-28 页
　　· 负微分迁移率第28-30 页
　　　　· 电压控制型负微分迁移率(VCNR)第29-30 页
　　　　· 电流控制型负微分迁移率(CCNR)第30 页
　　· 碰撞电离率第30-31 页
　　· GaAs材料热学特性第31-32 页
　　· GaAs光导开关损伤机理第32-34 页
第四章 光导开关的设计与分析第34-53 页
　　· 芯片选材第34 页
　　· 器件外形第34-38 页
　　　　· 电极尺寸第35-37 页
　　　　· 结构第37-38 页
　　· 绝缘保护耐压模拟第38-41 页
　　· Silvaco仿真与开关数值模型第41-46 页
　　　　· 软件简介第41 页
　　　　· 模型网格第41-42 页
　　　　· 光导开关数值模型第42-46 页
　　· 光导开关耐压性能模拟第46-47 页
　　· 电极区掺杂对器件性能的影响第47-53 页
　　　　· 低电场下反偏重掺杂结势垒的作用第48-50 页
　　　　· 强电场下正偏结计算结果第50-53 页
第五章 光电导开关测试和实验研究第53-71 页
　　· 欧姆接触测试研究第53-56 页
　　　　· 比接触电阻率测试第54-55 页
　　　　· 静态伏安特性测试第55-56 页
　　· 绝缘层防击穿效果研究第56-58 页
　　　　· 实验条件和现象观察第56-57 页
　　　　· 结果与分析第57-58 页
　　· 共面及异面结构光导开关耐压性能对比第58-60 页
　　· GaAs光导开关暗态击穿与温度的关系第60-65 页
　　　　· 实验现象与数据第61 页
　　　　· 击穿机理第61-62 页
　　　　· 仿真结果第62-63 页
　　　　· 结果分析第63-65 页
　　· 激光触发实验第65-71 页
第六章 结论第71-73 页
　　· 总结第71 页
　　· 工作创新点第71-72 页
　　· 工作展望第72-73 页
致谢第73-74 页
参考文献第74-78 页
附录 研究生在校期间发表学术论文情况第78页

本篇论文共78页，点击这进入下载页面。
 
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