论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6
页 |
| ABSTRACT | 第6-9
页 |
| 目录 | 第9-11
页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20
页 |
| · 课题背景 | 第11-12
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| · 外延生长技术的研究与发展现状 | 第12-17
页 |
| · 外延生长技术的基本介绍 | 第12-15
页 |
| · MOCVD的基本原理及其基本工艺流程 | 第15-17
页 |
| · 选择性区域外延生长的应用情况 | 第17-18
页 |
| · 新型材料特性的理论分析的发展现状 | 第18
页 |
| · 论文研究内容及其论文结构 | 第18-20
页 |
| · 论文研究内容 | 第19
页 |
| · 论文结构 | 第19-20
页 |
| 第二章 选择性区域外延生长—SAE | 第20-29
页 |
| · 工艺途径 | 第20-21
页 |
| · 掩膜图形衬底上的SAE | 第20-21
页 |
| · 某种晶面和缺陷上的SAE | 第21
页 |
| · 特定构型衬底上的SAE | 第21
页 |
| · 精细束加工的SAE | 第21
页 |
| · InP衬底的选择区域外延生长的建模和分析 | 第21-26
页 |
| · 表面迁移模型的建模和分析 | 第22-25
页 |
| · 气相扩散模型的建模和分析 | 第25-26
页 |
| · 数据和结果的讨论 | 第26-28
页 |
| · 结论 | 第28-29
页 |
| 第三章 二元系材料T1P和三元系材料In_xGa_(1-x)N的能带结构和晶格常数的理论分析 | 第29-44
页 |
| · Materials Studio模块—CASTEP的基本原理 | 第29-33
页 |
| · 密度泛函理论 | 第29-31
页 |
| · 基矢修正的收敛 | 第31-33
页 |
| · 赝势近似 | 第33
页 |
| · 二元系材料T1P的能带结构和晶格常数的理论分析 | 第33-37
页 |
| · 计算方法 | 第34
页 |
| · 模拟结果 | 第34-37
页 |
| · 结论 | 第37
页 |
| · 三元系材料In_xGa_(1-x)N的能带结构和Bowing常数的理论分析 | 第37-44
页 |
| · 倒易晶格原胞与基底变换 | 第38-40
页 |
| · 布里渊区的高对称点 | 第38-39
页 |
| · 格子原胞基底与倒格子原胞基底变换的过渡矩阵 | 第39-40
页 |
| · 正格矢与倒格矢在基底中的变换 | 第40
页 |
| · 计算方法 | 第40-41
页 |
| · 模拟结果 | 第41-43
页 |
| · 结论 | 第43-44
页 |
| 第四章 InP／In_(·)Ga_(·)As／InP在GaAs衬底上的异质外延晶片生长过程和质量分析 | 第44-52
页 |
| · 半导体异质外延晶片材料质量评估的意义 | 第44
页 |
| · 外延晶片质量的检测方法 | 第44-46
页 |
| · 化学检测方法 | 第44-45
页 |
| · 物理检测方法 | 第45-46
页 |
| · 光致发光谱 | 第45-46
页 |
| · X射线双晶衍射 | 第46
页 |
| · InP／In_(·)Ga_(0.47)As／InP InP在GaAs衬底上的异质外延晶片生长实验过程和质量分析 | 第46-52
页 |
| · 实验过程 | 第46-47
页 |
| · 实验数据和分析 | 第47-51
页 |
| · 结论 | 第51-52
页 |
| 参考文献 | 第52-57
页 |
| 致谢 | 第57-58
页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第58页 |
