论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
abstract | 第5页 |
注释表 | 第13-15页 |
缩略词 | 第15-16页 |
第一章 绪论 | 第16-24页 |
1.1 研究背景 | 第16-17页 |
1.2 研究现状 | 第17-20页 |
1.2.1 GaN基功率开关器件发展现状与研究进展 | 第17-19页 |
1.2.2 GaN基电机驱动器的研究现状 | 第19-20页 |
1.3 GaN基电机驱动器的研究问题 | 第20-22页 |
1.3.1 GaN基桥臂电路高速开关制约条件 | 第20页 |
1.3.2 具有桥臂串扰抑制功能的eGaN HEMT高速驱动电路研究 | 第20-21页 |
1.3.3 GaN基桥臂电路续流方式的优化选择 | 第21-22页 |
1.3.4 eGaN HEMT短路特性及保护策略的探究 | 第22页 |
1.4 本文内容安排 | 第22-24页 |
第二章 eGaN HEMT的特性与参数 | 第24-45页 |
2.1 静态特性及其参数 | 第24-27页 |
2.1.1 输出特性 | 第24-25页 |
2.1.2 转移特性 | 第25页 |
2.1.3 第三象限导通特性 | 第25-27页 |
2.2 开关特性及其参数 | 第27-36页 |
2.2.1 eGaN HEMT的非理想开关特性分析 | 第27-30页 |
2.2.2 eGaN HEMT开关特性影响因素分析 | 第30-31页 |
2.2.3 工况对eGaN HEMT开关特性的影响 | 第31-33页 |
2.2.4 驱动电路参数对eGaN HEMT开关特性的影响 | 第33-36页 |
2.3 eGaN HEMT短路特性 | 第36-44页 |
2.3.1 短路模态分析 | 第36-37页 |
2.3.2 热网络模型分析 | 第37-39页 |
2.3.3 电路参数的影响 | 第39-41页 |
2.3.4 参数影响分析 | 第41-43页 |
2.3.5 失效情况 | 第43-44页 |
2.4 本章小结 | 第44-45页 |
第三章 eGaN HEMT的驱动及桥臂电路高频工作问题 | 第45-69页 |
3.1 eGaN HEMT高速驱动电路设计 | 第45-54页 |
3.1.1 eGaN HEMT驱动电路设计要求 | 第45页 |
3.1.2 寄生电感对eGaN HEMT高速开关的影响 | 第45-49页 |
3.1.3 eGaN HEMT高速驱动电路影响因素分析 | 第49-54页 |
3.2 GaN基桥臂电路续流方式的选择 | 第54-63页 |
3.2.1 eGaN HEMT桥臂电路续流方式 | 第51-55页 |
3.2.2 不同续流方式对比 | 第55-63页 |
3.3 GaN基高速开关桥臂结构串扰机理及抑制 | 第63-67页 |
3.3.1 GaN基高速开关桥臂串扰机理 | 第63-64页 |
3.3.2 eGaN HEMT桥臂串扰影响因素 | 第64-67页 |
3.3.3 eGaN HEMT桥臂串扰抑制方法 | 第67页 |
3.4 本章小结 | 第67-69页 |
第四章 GaN基电机驱动器的设计及实验分析 | 第69-82页 |
4.1 主要设计指标及实验平台构成 | 第69-70页 |
4.2 硬件电路设计 | 第70-74页 |
4.2.1 三相逆变器功率电路 | 第70-71页 |
4.2.2 eGaN HEMT驱动电路 | 第71-72页 |
4.2.3 控制电路 | 第72-74页 |
4.2.4 永磁同步电机 | 第74页 |
4.3 软件设计 | 第74-77页 |
4.3.1 速度检测模块程序 | 第75页 |
4.3.2 AD采样模块程序 | 第75-76页 |
4.3.3 双闭环调节模块程序 | 第76-77页 |
4.3.4 SVPWM控制信号生成模块程序 | 第77页 |
4.4 GaN基 PMSM驱动器样机实验结果 | 第77-81页 |
4.4.1 SVPWM高速桥臂开关电路驱动实验波形 | 第77-79页 |
4.4.2 开关频率和死区时间的影响 | 第79-81页 |
4.4.3 效率分析 | 第81页 |
4.5 本章小结 | 第81-82页 |
第五章 总结与展望 | 第82-84页 |
5.1 全文工作总结 | 第82-83页 |
5.2 后续工作展望 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-88页 |
致谢 | 第88-89页 |
在学期间研究成果及发表的学术论文 | 第89-90页 |