论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 缩略词 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-25页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第14页 |
| 1.2 固态等离子体可重构天线国内外研究现状 | 第14-23页 |
| 1.2.1 固态等离子体可重构天线国外研究现状 | 第14-20页 |
| 1.2.2 固态等离子体可重构天线国内研究现状 | 第20-23页 |
| 1.3 本文的主要工作及章节安排 | 第23-25页 |
| 第二章 固态等离子体芯片天线理论 | 第25-35页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 天线基本理论 | 第25-26页 |
| 2.3 半导体理论 | 第26-28页 |
| 2.3.1 本征半导体 | 第26-27页 |
| 2.3.2 非本征半导体 | 第27页 |
| 2.3.3 固态等离子体半导体材料的选择 | 第27-28页 |
| 2.4 固态等离子体理论 | 第28-34页 |
| 2.4.1 固态等离子体分类 | 第28-29页 |
| 2.4.2 固态等离子体的形成机理与工作机制 | 第29-30页 |
| 2.4.3 固态等离子体的物理模型 | 第30-32页 |
| 2.4.4 固态等离子体的特性参数 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 双S-PIN固态等离子体设计与优化 | 第35-52页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 S-PIN与双S-PIN固态等离子体 | 第35-36页 |
| 3.3 双S-PIN固态等离子体设计 | 第36-39页 |
| 3.3.1 双S-PIN固态等离子体几何尺寸设计 | 第36-39页 |
| 3.4 双S-PIN固态等离子体优化 | 第39-50页 |
| 3.4.1 等离子体区高度对载流子浓度和功耗影响 | 第40-41页 |
| 3.4.2 I区宽度对载流子浓度和功耗影响 | 第41-44页 |
| 3.4.3 P~+区和N~+区结深对载流子浓度和功耗影响 | 第44-45页 |
| 3.4.4 双S-PIN固态等离子体各区掺杂浓度设计 | 第45-46页 |
| 3.4.5 硅片电阻率的选择 | 第46-50页 |
| 3.5 双S-PIN固态等离子体几何尺寸、掺杂浓度与电阻率说明 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 双S-PIN固态等离子体特性研究 | 第52-67页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 双S-PIN固态等离子体半导体特性研究 | 第52-59页 |
| 4.2.1 双S-PIN固态等离子体电势分布 | 第53页 |
| 4.2.2 载流子浓度随偏置电压变化关系 | 第53-54页 |
| 4.2.3 不同正向偏压下载流子浓度分布 | 第51-55页 |
| 4.2.4 正向伏安特性 | 第55-56页 |
| 4.2.5 双S-PIN固态等离子体功耗 | 第56-57页 |
| 4.2.6 双S-PIN固态等离子体热分析 | 第57-59页 |
| 4.3 固态等离子体在电磁波中的等效模型 | 第59-61页 |
| 4.3.1 Drude模型 | 第59-60页 |
| 4.3.2 电导率模型 | 第60-61页 |
| 4.4 双S-PIN固态等离子体开关特性研究 | 第61-64页 |
| 4.4.1 双S-PIN固态等离子体开关建模 | 第61-62页 |
| 4.4.2 Drude模型与电导率模型双S-PIN开关特性对比 | 第62-64页 |
| 4.5 S-PIN固态等离子体制造工艺 | 第64-65页 |
| 4.6 双S-PIN固态等离子体流片加工与伏安特性测试 | 第65-66页 |
| 4.7 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 S-PIN固态等离子体频率可重构芯片天线及阵列设计 | 第67-113页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 X与Ka波段S-PIN频率可重构芯片天线单元 | 第67-91页 |
| 5.2.1 X与Ka波段S-PIN频率可重构芯片天线单元工作原理 | 第69-70页 |
| 5.2.2 X与Ka波段S-PIN芯片天线单元结构参数设计 | 第70-76页 |
| 5.2.3 X与Ka波段S-PIN芯片天线单元辐射特性分析 | 第76-80页 |
| 5.2.4 提高S-PIN芯片天线辐射性能方法研究 | 第80-86页 |
| 5.2.5 X与Ka波段S-PIN芯片天线单元测试板设计 | 第86-91页 |
| 5.3 X与Ka波段S-PIN频率可重构芯片天线阵列 | 第91-102页 |
| 5.3.1 X与Ka波段S-PIN频率可重构芯片天线阵列工作原理 | 第91-92页 |
| 5.3.2 X与Ka波段S-PIN频率可重构芯片天线阵列结构参数设计 | 第92-96页 |
| 5.3.3 X与Ka波段S-PIN芯片天线阵列辐射特性分析 | 第96-101页 |
| 5.3.4 X与Ka波段S-PIN芯片天线阵列测试板设计 | 第101-102页 |
| 5.4 X与Ka波段S-PIN频率可重构芯片天线版图设计与实物加工 | 第102-104页 |
| 5.5 X与Ku波段S-PIN频率可重构芯片天线 | 第104-110页 |
| 5.5.1 X与Ku波段S-PIN频率可重构芯片天线工作原理 | 第106页 |
| 5.5.2 X与Ku波段S-PIN芯片天线结构参数设计 | 第106-107页 |
| 5.5.3 X与Ku波段S-PIN芯片天线辐射特性分析 | 第107-110页 |
| 5.6 S-PIN固态等离子体天线测试系统 | 第110-112页 |
| 5.6.1 外围控制系统设计 | 第110-111页 |
| 5.6.2 天线频率重构性与辐射特性测试方法 | 第111-112页 |
| 5.7 本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 展望与总结 | 第113-115页 |
| 6.1 总结 | 第113-114页 |
| 6.2 展望 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第121-122页 |
