TO257T型管壳封装设计及电子封装用95%Al_2O_3金属化层制备 |
论文目录 | | 摘要 | 第11-13页 | Abstract | 第13-15页 | 第1章 绪论 | 第15-31页 | · 电子集成及微组装工艺 | 第15-16页 | · 电子集成概论 | 第15页 | · 微组装工艺及其发展 | 第15-16页 | · 电子封装材料概况 | 第16-20页 | · 电子封装材料简介 | 第16-17页 | · 封装材料的分类 | 第17-20页 | · 氧化铝陶瓷封接工艺与金属化 | 第20-24页 | · 氧化铝陶瓷应用简介 | 第20-22页 | · 陶瓷金属封接工艺 | 第22-24页 | · Mo-Mn法及活化Mo-Mn法对Al_2O_3陶瓷金属化 | 第24-27页 | · Mo-Mn法 | 第24-26页 | · 活化Mo-Mn法 | 第26-27页 | · 镍涂层的应用 | 第27-29页 | · 电镀镍 | 第27-28页 | · 烧结镍 | 第28页 | · 化学镀镍 | 第28-29页 | · 本文的主要研究内容 | 第29-31页 | 第2章 试验材料及方法 | 第31-39页 | · 试验材料 | 第31-33页 | · TO-257T-New管壳封装 | 第31页 | · 95%Al_2O_3陶瓷金属化层制备 | 第31-33页 | · TO-257T-New管壳封装试验及测试方法 | 第33-34页 | · TO-257T-New管壳封装流程 | 第33页 | · 温度循环及气密性测试 | 第33-34页 | · 热阻测试 | 第34页 | · 95%Al_2O_3陶瓷金属化层制备及测试方法 | 第34-39页 | · 95%Al_2O_3陶瓷金属化层制备及封接 | 第34-36页 | · 物相分析 | 第36-37页 | · 形貌及成分分析 | 第37页 | · 抗拉强度测试 | 第37-39页 | 第3章 高可靠半导体管壳封装设计 | 第39-53页 | · 管壳封装要求 | 第39-41页 | · 封装基本原则 | 第39-40页 | · 封装可靠性 | 第40页 | · 散热条件控制 | 第40-41页 | · 封装材料设计 | 第41-46页 | · 绝缘片 | 第41-42页 | · 底板 | 第42-43页 | · 边框 | 第43页 | · 热沉片 | 第43-44页 | · 接地线 | 第44页 | · 绝缘子 | 第44-45页 | · 密封环、引线及盖板 | 第45-46页 | · 封装工艺设计 | 第46-49页 | · 封装工艺参数设计 | 第46-47页 | · 焊缝组织测试 | 第47-49页 | · 管壳性能测试 | 第49-50页 | · 温度循环及气密性测试 | 第49-50页 | · 热阻测试 | 第50页 | · 本章小结 | 第50-53页 | 第4章 MnO-SiO_2-Al_2O_3系活化剂金属化层 | 第53-81页 | · 金属化配方设计 | 第53-57页 | · Mo粉及MnO-SiO_2-Al_2O_3体系的选择 | 第53-54页 | · 氧化物膨胀系数设计 | 第54-55页 | · 活化剂熔化温度 | 第55-57页 | · 金属化层表面物相分析 | 第57-58页 | · 金属化层组织形貌及成分分析 | 第58-63页 | · 金属化层表层组织形貌及成分 | 第58-60页 | · 金属化层下层组织形貌及成分 | 第60-61页 | · 金属化层横截面微观组织及成分分析 | 第61-63页 | · 金属化层原理分析 | 第63-65页 | · 涂层厚度对金属化层组织的影响 | 第65-68页 | · 烧结温度对金属化层组织的影响 | 第68-72页 | · MnO-SiO_2-Al_2O_3配比对金属化层的影响 | 第72-74页 | · 焊接及抗拉性能 | 第74-78页 | · 本章小结 | 第78-81页 | 第5章 MnO-TiO_2系活化剂金属化层 | 第81-89页 | · 金属化配方设计 | 第81-82页 | · Mo粉及MnO-TiO_2体系的选择 | 第81页 | · 氧化物膨胀系数设计 | 第81-82页 | · 活化剂熔化温度 | 第82页 | · 金属化层物相分析 | 第82-83页 | · 金属化层表面组织形貌及成分分析 | 第83-85页 | · 金属化截面形貌及成分分析 | 第85-86页 | · 不同烧结温度对金属化层的影响 | 第86-87页 | · 本章小结 | 第87-89页 | 第6章 结论 | 第89-91页 | 参考文献 | 第91-95页 | 致谢 | 第95-96页 | 学位论文评阅及答辩情况表 | 第96页 |
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