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面向标准单元库的MOS器件大型可寻址测试芯片的研究、设计与实现

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面向标准单元库的MOS器件大型可寻址测试芯片的研究、设计与实现
论文目录
 
致谢第1-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-14页
第1章 绪论第14-24页
  1.1 集成电路发展概况第14-16页
  1.2 纳米工艺下的成品率问题第16-19页
    1.2.1 成品率概念第16-17页
    1.2.2 成品率问题的来源第17-19页
  1.3 测试芯片第19-22页
    1.3.1 测试结构的分类第20-21页
    1.3.2 测试芯片的应用第21-22页
  1.4 本文研究内容第22-23页
  1.5 论文结构第23-24页
第2章 MOSFET特性简介第24-32页
  2.1 CMOS工艺中的MOSFET第24-25页
  2.2 MOSFET的电压电流特性第25-30页
    2.2.1 MOSFET的三个工作区第25-27页
    2.2.2 I_D-V_(GS)&I_D-V_(DS)特性曲线第27-28页
    2.2.3 MOSFET的关键测量参数第28-30页
  2.3 FinFET特性简介第30-31页
  2.4 本章小结第31-32页
第3章 MOSFET大型可寻址测试芯片设计第32-49页
  3.1 研究现状及挑战第32-34页
  3.2 设计思路第34-42页
    3.2.1 开关器件的选择第35-37页
    3.2.2 电压降的解决思路第37-38页
    3.2.3 背景电流的解决思路第38-42页
  3.3 设计方案第42-48页
    3.3.1 译码电路的实现第44-46页
    3.3.2 开关电路的实现第46-48页
  3.4 本章小结第48-49页
第4章 专用于标准单元MOSFET的测试结构设计第49-62页
  4.1 标准单元库简介第49-51页
  4.2 MOSFET测试结构设计第51-54页
    4.2.1 传统MOSFET测试结构第51-53页
    4.2.2 专用于标准单元MOSFET的测试结构第53-54页
  4.3 专用测试结构版图自动化实现第54-61页
    4.3.1 目标器件列表产生第55-57页
    4.3.2 目标器件测试结构生成第57-59页
    4.3.3 测试结构的摆放和绕线第59-60页
    4.3.4 布图规划生成测试芯片第60-61页
  4.4 本章小结第61-62页
第5章 设计应用和测量分析第62-72页
  5.1 设计应用实现第62-64页
  5.2 参数测量方案第64-67页
    5.2.1 亚阈值电流I_(off)的测量第64-65页
    5.2.2 饱和状态下漏端电流I_(dsat)的测量第65-66页
    5.2.3 线性状态下漏端电流I_(dlin)的测量第66页
    5.2.4 饱和状态下阈值电压V_(tsat)的测量第66-67页
    5.2.5 线性状态下阈值电压V_(tlin)的测量第67页
  5.3 测量结果分析第67-71页
    5.3.1 准确性分析第68-69页
    5.3.2 晶体管波动性分析第69-70页
    5.3.3 单管仿真和实测比对分析第70-71页
  5.4 本章小结第71-72页
第6章 总结与展望第72-75页
  6.1 本文总结第72-73页
  6.2 主要创新点第73-74页
  6.3 研究展望第74-75页
参考文献第75-80页
作者简历及攻读硕士学位期间主要的研究成果第80页

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