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氧化镓外延薄膜生长及特性研究
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氧化镓外延薄膜生长及特性研究
论文目录
摘要
第1-7页
ABSTRACT
第7-12页
符号对照表
第12-13页
缩略语对照表
第13-16页
第一章 绪论
第16-24页
1.1 引言
第16页
1.2 氧化镓的晶体结构和材料的光学和电学性质
第16-18页
1.2.1 晶体结构
第16-17页
1.2.2 光学和电学性质
第17-18页
1.3 氧化镓材料的应用与研究进展
第18-21页
1.3.1 氧化镓材料的应用
第18-19页
1.3.2 Ga_2O_3材料与器件研究进展
第19-21页
1.4 氧化镓薄膜的制备方法
第21-22页
1.5 研究内容与结构安排
第22-24页
第二章 薄膜生长设备及测试方法
第24-32页
2.1 脉冲激光沉积系统
第24-28页
2.1.1 发展历程
第24-25页
2.1.2 脉冲激光沉积系统组成
第25-28页
2.1.3 PLD沉积薄膜的原理
第28页
2.2 薄膜表征方法
第28-31页
2.2.1 X射线衍射仪
第28-29页
2.2.2 原子力显微镜
第29-30页
2.2.3 光谱型椭圆偏振仪
第30-31页
2.2.4 紫外-可见分光光度计
第31页
2.3 本章小结
第31-32页
第三章 蓝宝石衬底上锡掺杂氧化镓薄膜生长及其性质
第32-56页
3.1 外延生长掺杂氧化镓薄膜的工艺流程
第32-33页
3.2 基于 1% SnO_2含量氧化镓靶材的氧化镓薄膜生长
第33-42页
3.2.1 氧气分压对外延薄膜质量的影响
第33-39页
3.2.2 衬底变温对掺锡氧化镓薄膜质量的影响
第39-42页
3.3 基于 5% SnO_2含量氧化镓靶材的氧化镓薄膜生长
第42-49页
3.3.1 氧压对外延薄膜质量的影响
第42-46页
3.3.2 衬底温度对薄膜质量的影响
第46-49页
3.4 锡掺杂氧化镓薄膜的光电探测特性
第49-54页
3.4.1 引言
第49页
3.4.2 紫外探测器的制备
第49-50页
3.4.3 探测器的特性分析
第50-54页
3.5 本章小结
第54-56页
第四章 氧化镓同质外延生长及其性质
第56-68页
4.1 未掺杂氧化镓同质薄膜生长
第56-60页
4.1.1 实验部分
第56页
4.1.2 结果与讨论
第56-60页
4.2 锡掺杂氧化镓同质薄膜生长
第60-66页
4.2.1 实验部分
第61页
4.2.2 结果与讨论
第61-66页
4.3 本章小结
第66-68页
第五章 总结和展望
第68-70页
5.1 全文总结
第68-69页
5.2 展望
第69-70页
参考文献
第70-76页
致谢
第76-78页
作者简介
第78-79页
本篇论文共
79
页,
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。
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