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滴状冷凝自集水硅基微纳米表面设计
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滴状冷凝自集水硅基微纳米表面设计
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
符号说明第11-13页
第1章 绪论第13-27页
　　1.1 研究背景及意义第13页
　　1.2 国内外研究现状第13-14页
　　1.3 超疏水理论基础第14-19页
　　　　1.3.1 Young模型第14-15页
　　　　1.3.2 Wenzel模型第15-16页
　　　　1.3.3 Cassie模型第16-18页
　　　　1.3.4 滚动角第18-19页
　　1.4 超疏水层的制备方法第19-23页
　　　　1.4.1 模板印刷法第19-20页
　　　　1.4.2 化学气相沉积和物理气相沉积第20-21页
　　　　1.4.3 静电纺丝技术第21页
　　　　1.4.4 刻蚀法第21-23页
　　1.5 硅的各向异性刻蚀技术第23-25页
　　1.6 分形理论第25-26页
　　1.7 本论文的主要工作第26-27页
第2章 超疏水层微米结构的仿真设计与实验第27-43页
　　2.1 引言第27页
　　2.2 凸角补偿技术第27-29页
　　2.3 凸角补偿图形的选择第29-35页
　　　　2.3.1 第一阶段腐蚀仿真第31-33页
　　　　2.3.2 第二阶段腐蚀仿真第33-35页
　　2.4 实验部分第35-41页
　　　　2.4.1 实验试剂和仪器第35页
　　　　2.4.2 硅基超疏水层微米结构的制备第35-39页
　　　　2.4.3 实验结果和分析第39-41页
　　2.5 本章小结第41-43页
第3章 超疏水层纳米结构层的制备第43-51页
　　3.1 引言第43页
　　3.2 实验部分第43-49页
　　　　3.2.1 实验主要试剂与仪器第43-44页
　　　　3.2.2 纳米SiO_2溶胶的制备第44-45页
　　　　3.2.3 氟硅溶胶的制备第45页
　　　　3.2.4 单层纳米SiO_2超疏水涂层制备第45-46页
　　　　3.2.5 测试与表征第46页
　　　　3.2.6 复合纳米SiO_2粒子层第46-47页
　　　　3.2.7 测试与表征第47-49页
　　3.3 本章小结第49-51页
第4章 基于图像处理技术的硅基微纳二级结构分形分析第51-63页
　　4.1 引言第51页
　　4.2 图像处理系统第51-53页
　　　　4.2.1 数字化图像第51-52页
　　　　4.2.2 点运算第52页
　　　　4.2.3 灰度直方图第52-53页
　　　　4.2.4 灰度的线性变换第53页
　　4.3 威纳滤波第53-55页
　　4.4 直方图的均衡化第55-56页
　　4.5 图像分析第56-57页
　　　　4.5.1 去噪声第56页
　　　　4.5.2 图片锐化第56-57页
　　4.6 硅基微纳二级结构超疏水表面分形维数的计算第57-62页
　　　　4.6.1 不同区域（纳米结构）分形维数的计算第58-61页
　　　　4.6.2 不同微米间距下分形维数的对比第61-62页
　　4.7 本章小结第62-63页
第5章 超疏水微纳二级结构层的冷凝实验及机理研究第63-79页
　　5.1 引言第63页
　　5.2 接触角实验部分第63-69页
　　　　5.2.1 实验与表征第64-65页
　　　　5.2.2 有无结构接触角对比第65页
　　　　5.2.3 不同间距（分形维数）下接触角对比第65-66页
　　　　5.2.4 接触角机理研究第66-69页
　　5.3 冷凝实验部分第69-70页
　　5.4 冷凝结果与讨论第70-72页
　　　　5.4.1 冷凝自迁移过程分析第70-71页
　　　　5.4.2 环境湿度对冷凝的影响第71-72页
　　　　5.4.3 不同微米结构（分形维数）对冷凝的影响第72页
　　5.5 冷凝过程中的机理分析第72-74页
　　5.6 不同微米结构间距（分形维数）集水率对比分析第74-76页
　　5.7 耐久性测试第76-77页
　　5.8 本章小结第77-79页
第6章 结论与展望第79-81页
　　6.1 结论第79页
　　6.2 创新点第79-80页
　　6.3 展望第80-81页
附录第81-83页
参考文献第83-87页
致谢第87-89页
攻读学位期间参加的科研项目和成果第89-90页

本篇论文共90页，点击这进入下载页面。
 
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