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半导体制造用高纯超细碳化硅陶瓷粉体表面改性研究

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半导体制造用高纯超细碳化硅陶瓷粉体表面改性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
主要符号对照表第11-12页
第1章 绪论第12-24页
  · SiC 的基本性质第12-13页
  · SiC 粉体的应用第13-14页
  · SiC 粉体表面改性的目的及意义第14-16页
  · 表面改性方法第16-18页
    · 物理涂敷改性第16页
    · 化学包覆改性第16-17页
    · 机械力化学法第17-18页
  · 表面改性剂第18-19页
    · 偶联剂第18页
    · 表面活性剂第18页
    · 有机低聚物及不饱和有机酸第18-19页
    · 有机硅第19页
    · 水溶性高分子第19页
    · 无机表面改性剂第19页
  · SiC 粉体表面改性研究现状第19-22页
    · 国外研究现状分析第19-20页
    · 国内研究现状分析第20-22页
  · 本课题研究内容第22-23页
  · 小结第23-24页
第2章 SiC 粉体表面改性设计思想第24-33页
  · 分散稳定机理讨论第24-28页
    · 双电层和ζ电位第24-25页
    · 颗粒间的相互作用及稳定分散第25-28页
  · 表面改性设计思想第28-32页
  · 改性粉体性能检测与表征第32页
  · 小结第32-33页
第3章 SiC 粉体表面改性实验研究第33-47页
  · 实验原料第33-34页
    · SiC 原料第33页
    · 辅助原料及化学试剂第33-34页
  · 实验仪器第34页
  · 实验工艺第34-37页
    · 偶联剂疏水预处理工艺第34-35页
    · 接枝聚合工艺第35-37页
      · SiC 粉体表面接枝聚合丙烯酰胺第35-36页
      · SiC 粉体表面接枝聚合丙烯酸钠第36页
      · SiC 粉体表面接枝共聚丙烯酸钠及丙烯酰胺第36-37页
  · 实验结果与讨论第37-46页
    · 偶联剂疏水预处理工艺参数的确定第37-43页
      · 单因素实验第37-41页
      · 正交实验第41-43页
    · 接枝聚合工艺参数的确定第43-46页
      · SiC 粉体表面接枝聚合丙烯酰胺第43-44页
      · SiC 粉体表面接枝聚合丙烯酸钠第44-46页
  · 小结第46-47页
第4章 改性SiC 粉体的性能表征第47-56页
  · 改性SiC 粉体表面结构分析第47-52页
    · XRD 分析第47-49页
    · 红外光谱分析第49-52页
  · 改性SiC 粉体形貌分析第52-53页
  · 改性SiC 粉体粒度分析第53-55页
  · 小结第55-56页
第5章 表面改性SiC 料浆特性及成型、烧结工艺研究第56-71页
  · 改性SiC 粉体的分散稳定性研究第56-63页
    · Zeta 电位的测试第56-60页
    · 分散稳定性的测定第60-63页
  · 改性SiC 料浆的流动性研究第63-65页
    · pH 值对SiC 浆料粘度的影响第63-64页
    · 固相含量对SiC 桨料粘度的影响第64-65页
  · 注浆成型制备致密碳化硅第65-70页
    · 工艺流程第65-67页
    · 性能测试与表征第67-70页
  · 小结第70-71页
第6章 结论第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-78页
作者简介第78 页

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