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P型GaN基材料电学性能的研究

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P型GaN基材料电学性能的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 绪论第10-17页
  1.1 研究背景和意义第10页
  1.2 GaN基材料的特性第10-13页
    1.2.1 GaN基材料的基本特性及优势第10-11页
    1.2.2 AlGaN材料的基本特性第11-12页
    1.2.3 非极性半极性GaN基材料的特性第12-13页
  1.3 p型GaN基材料第13-16页
    1.3.1 p型GaN基材料面临的问题第13-15页
    1.3.2 p型GaN基材料的研究现状第15-16页
  1.4 论文的研究内容第16-17页
第二章 外延生长技术及表征方法第17-24页
  2.1 MOCVD外延生长技术第17-19页
    2.1.1 MOCVD设备介绍第17-18页
    2.1.2 MOCVD生长机理第18-19页
  2.2 快速退火炉系统第19-20页
    2.2.1 快速退火炉工作原理第19-20页
    2.2.2 本实验使用的退火炉第20页
  2.3 表征方法第20-22页
    2.3.1 X射线衍射第20-21页
    2.3.2 扫描电子显微镜与能量色散谱第21页
    2.3.3 紫外可见分光光度计第21-22页
    2.3.4 Hall效应测试仪第22页
  2.4 本章小结第22-24页
第三章 p型GaN材料的生长与退火第24-30页
  3.1 引言第24页
  3.2 p-GaN材料的生长第24-26页
    3.2.1 p-GaN材料的层结构设计第24-25页
    3.2.2 p-GaN材料的生长工艺参数设计第25-26页
  3.3 p-GaN材料的表征第26-27页
    3.3.1 表面形貌分析第26页
    3.3.2 XRD结果分析第26-27页
    3.3.3 电学性能分析第27页
  3.4 p-GaN材料的热退火第27-29页
    3.4.1 退火条件设计第27-28页
    3.4.2 退火结果分析第28-29页
  3.5 本章小结第29-30页
第四章 p型AlGaN材料的生长与退火第30-41页
  4.1 引言第30页
  4.2 缓冲层对Mg掺杂AlGaN材料特性的影响第30-35页
    4.2.1 Mg掺杂AlGaN材料层结构设计第30-31页
    4.2.2 Mg掺杂AlGaN材料生长工艺参数设计第31-32页
    4.2.3 缓冲层对Mg掺杂AlGaN材料特性的影响分析第32-35页
  4.3 Mg delta掺杂AlGaN材料的生长与优化第35-37页
    4.3.1 Mg的delta掺杂对AlGaN材料特性的影响第35页
    4.3.2 delta掺杂A1GaN材料生长条件的优化第35-36页
    4.3.3 delta掺杂A1GaN材料表征结果分析第36-37页
  4.4 Mg掺杂A1GaN材料的热退火第37-39页
    4.4.1 热退火对表面形貌的影响第37页
    4.4.2 退火条件的优化第37-39页
  4.5 本章小结第39-41页
第五章 Mg掺杂半极性和非极性GaN基材料的生长与表征第41-50页
  5.1 前言第41页
  5.2 Mg掺杂半极性AlGaN材料的生长第41-42页
  5.3 Mg掺杂半极性AlGaN材料的表征第42-46页
    5.3.1 不同Al组分AlGaN材料的表征结果分析第42-44页
    5.3.2 不同Mg掺杂流量的p型AlGaN材料的表征第44-46页
  5.4 非极性Mg掺杂GaN材料的生长与表征第46-49页
    5.4.1 XRD扫描结果分析第47-48页
    5.4.2 表面形貌分析第48-49页
  5.5 本章小结第49-50页
第六章 总结与展望第50-52页
  6.1 全文总结第50页
  6.2 未来展望第50-52页
致谢第52-53页
参考文献第53-57页
附录:攻读硕士学位期间的研究成果第57页

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