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大功率IGBT模块直流加速老化平台的研制

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大功率IGBT模块直流加速老化平台的研制
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-9页
致谢第9-15页
第1章 绪论第15-26页
  1.1 目的和意义第15-19页
  1.2 大功率IGBT老化信息提取研究现状第19-24页
  1.3 本文研究内容第24-26页
第2章 IGBT模块老化衰退机理研究第26-34页
  2.1 引言第26页
  2.2 IGBT基本结构第26-27页
  2.3 IGBT老化衰退机理分析第27-28页
  2.4 IGBT不同老化衰退部位分析第28-34页
    2.4.1 键合线老化第28-30页
    2.4.2 焊接层老化第30-31页
    2.4.3 DBC层老化第31-32页
    2.4.4 铝金属重构第32-33页
    2.4.5 芯片层面的老化第33-34页
第3章 直流加速老化实验平台搭建第34-47页
  3.1 引言第34-35页
  3.2 直流加速老化平台概述第35-40页
    3.2.1 主功率电路概述第35-36页
    3.2.2 主要工作状态概述第36-38页
    3.2.3 平台辅助功能概述第38-40页
  3.3 直流加速老化平台硬件部分第40-42页
    3.3.1 差分采样电路第40-41页
    3.3.2 主功率驱动电路第41-42页
    3.3.3 三通阀驱动电路第42页
  3.4 直流加速老化平台软件部分第42-47页
    3.4.1 上位机部分第43-45页
    3.4.2 下位机部分第45-46页
    3.4.3 上位机-下位机通讯指令规则第46-47页
第4章 基于开通过程的IGBT模块动态老化敏感电参数研究第47-65页
  4.1 引言第47页
  4.2 IGBT等效电路模型第47-50页
  4.3 IGBT开通过程分析第50-52页
  4.4 温度对开通过程中V_(Ee)的作用机理第52-54页
  4.5 键合线老化衰退对开通过程中V_(Ee)的作用机理第54-57页
  4.6 实验结果分析第57-65页
    4.6.1 V_(Ee)与温度之间关系实验验证第57-60页
    4.6.2 V_(Ee)与老化之间关系实验验证第60-65页
第5章 总结和展望第65-68页
  5.1 论文工作总结第65-66页
  5.2 今后工作展望第66-68页
攻读硕士期间发表的论文第68-69页
参考文献第69-73页

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