硅漂移探测器（SDD）分压器的设计和工艺实现研究

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硅漂移探测器（SDD）分压器的设计和工艺实现研究

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硅漂移探测器（SDD）分压器的设计和工艺实现研究

论文目录
摘要	第1-5页
abstract	第5-9页
第一章绪论	第9-16页
1.1 引言	第9页
1.2 X射线探测器	第9-12页
1.2.1 充气式探测器	第10页
1.2.2 闪烁探测器	第10-11页
1.2.3 半导体探测器	第11-12页
1.3 硅漂移探测器(SDD)	第12-15页
1.3.1 圆环形硅漂移探测器	第12-13页
1.3.2 液滴状SDD(SD~3)	第13-14页
1.3.3 3D探测器	第14-15页
1.4 分压器的工作原理	第15页
1.5 本章小结	第15-16页
第二章分压器的制备与表征	第16-24页
2.1 分压器的制备	第16-20页
2.1.1 扩散法	第16-17页
2.1.2 多晶硅法	第17-18页
2.1.3 离子注入法	第18-20页
2.2 分压器的表征	第20-23页
2.2.1 光学显微镜	第20页
2.2.2 小信号高低温在片测试系统	第20-21页
2.2.3 电化学电容电压(ECV)	第21-22页
2.2.4 扫描电子显微镜(SEM)	第22-23页
2.3 本章小结	第23-24页
第三章分压器的模拟与设计	第24-29页
3.1 模拟参数设置	第24-26页
3.2 分压器宽度设计	第26-28页
3.3 分压器长度设计	第28页
3.4 本章小结	第28-29页
第四章扩散型分压器	第29-37页
4.1 扩散型分压器的制备	第29-31页
4.2 通源时间对分压器的影响	第31页
4.3 通源期间O_2流量对分压器的影响	第31-32页
4.4 预氧化期间O_2流量对分压器的影响	第32-33页
4.5 不同测试温度对分压器的影响	第33-36页
4.6 本章小结	第36-37页
第五章多晶硅型分压器	第37-46页
5.1 多晶硅型分压器的制备	第37-38页
5.2 非晶硅生长时间对分压器的影响	第38-40页
5.3 不同退火温度对分压器的影响	第40-42页
5.4 不同测试温度对分压器的影响	第42-43页
5.5 对掺杂进行控制的两种改进方法	第43-45页
5.5.1 改变关掉B_2H_6后等待起辉的时间	第43-44页
5.5.2 改变B_2H_6通入的起止时间	第44-45页
5.6 本章小结	第45-46页
第六章离子注入型分压器	第46-56页
6.1 离子注入型分压器的制备	第46-47页
6.2 不同注入条件对分压器的影响	第47-49页
6.3 不同退火条件对分压器的影响	第49-50页
6.4 不同测试温度对分压器的影响	第50-52页
6.5 将注入型分压器集成到硅漂移探测器	第52-55页
6.6 本章小结	第55-56页
第七章全文总结	第56-57页
参考文献	第57-61页
发表论文和科研情况说明	第61-62页
致谢	第62页

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