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硅漂移探测器(SDD)分压器的设计和工艺实现研究

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硅漂移探测器(SDD)分压器的设计和工艺实现研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-9页
第一章 绪论第9-16页
  1.1 引言第9页
  1.2 X射线探测器第9-12页
    1.2.1 充气式探测器第10页
    1.2.2 闪烁探测器第10-11页
    1.2.3 半导体探测器第11-12页
  1.3 硅漂移探测器(SDD)第12-15页
    1.3.1 圆环形硅漂移探测器第12-13页
    1.3.2 液滴状SDD(SD~3)第13-14页
    1.3.3 3D探测器第14-15页
  1.4 分压器的工作原理第15页
  1.5 本章小结第15-16页
第二章 分压器的制备与表征第16-24页
  2.1 分压器的制备第16-20页
    2.1.1 扩散法第16-17页
    2.1.2 多晶硅法第17-18页
    2.1.3 离子注入法第18-20页
  2.2 分压器的表征第20-23页
    2.2.1 光学显微镜第20页
    2.2.2 小信号高低温在片测试系统第20-21页
    2.2.3 电化学电容电压(ECV)第21-22页
    2.2.4 扫描电子显微镜(SEM)第22-23页
  2.3 本章小结第23-24页
第三章 分压器的模拟与设计第24-29页
  3.1 模拟参数设置第24-26页
  3.2 分压器宽度设计第26-28页
  3.3 分压器长度设计第28页
  3.4 本章小结第28-29页
第四章 扩散型分压器第29-37页
  4.1 扩散型分压器的制备第29-31页
  4.2 通源时间对分压器的影响第31页
  4.3 通源期间O_2流量对分压器的影响第31-32页
  4.4 预氧化期间O_2流量对分压器的影响第32-33页
  4.5 不同测试温度对分压器的影响第33-36页
  4.6 本章小结第36-37页
第五章 多晶硅型分压器第37-46页
  5.1 多晶硅型分压器的制备第37-38页
  5.2 非晶硅生长时间对分压器的影响第38-40页
  5.3 不同退火温度对分压器的影响第40-42页
  5.4 不同测试温度对分压器的影响第42-43页
  5.5 对掺杂进行控制的两种改进方法第43-45页
    5.5.1 改变关掉B_2H_6后等待起辉的时间第43-44页
    5.5.2 改变B_2H_6通入的起止时间第44-45页
  5.6 本章小结第45-46页
第六章 离子注入型分压器第46-56页
  6.1 离子注入型分压器的制备第46-47页
  6.2 不同注入条件对分压器的影响第47-49页
  6.3 不同退火条件对分压器的影响第49-50页
  6.4 不同测试温度对分压器的影响第50-52页
  6.5 将注入型分压器集成到硅漂移探测器第52-55页
  6.6 本章小结第55-56页
第七章 全文总结第56-57页
参考文献第57-61页
发表论文和科研情况说明第61-62页
致谢第62页

本篇论文共62页,点击这进入下载页面
 
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