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晶圆级MoS
2
及其阵列器件的可控制备研究
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晶圆级MoS
2
及其阵列器件的可控制备研究
论文目录
摘要
第1-5页
abstract
第5-8页
第一章 绪论
第8-26页
1.1 引言
第8-13页
1.1.1 摩尔定律的预言
第8-10页
1.1.2 新型纳米尺度材料带来的机遇和挑战
第10-13页
1.2 晶圆级二维MoS_2纳米薄膜的制备方法
第13-19页
1.2.1 化学气相沉积法(CVD)
第14-15页
1.2.2 溶液热解法
第15-16页
1.2.3 金属有机化学气相沉积(MOCVD)
第16-17页
1.2.4 分子束外延(MBE)
第17-18页
1.2.5 磁控溅射法
第18-19页
1.3 晶圆级MoS_2薄膜的电学及光电应用
第19-24页
1.3.1 基于MoS_2的场效应晶体管(FET)阵列
第19-21页
1.3.2 大面积MoS_2柔性透明器件的集成
第21页
1.3.3 基于晶圆级MoS_2薄膜的异质结
第21-23页
1.3.4 基于MoS_2的忆阻器件
第23-24页
1.4 本文的研究内容
第24-26页
第二章 MoS_2薄膜及其阵列器件的制备与表征
第26-36页
2.1 MoS_2 薄膜制备
第26-27页
2.1.1 离子束溅射制备钼膜前驱体
第26-27页
2.1.2 热硫化法合成MoS
第27页
2.2 薄膜物理化学特性表征及晶体结构分析
第27-32页
2.2.1 钼膜的微观形貌表征及晶体结构分析
第28-29页
2.2.2 MoS_2 薄膜的表面形貌表征
第29-30页
2.2.3 MoS_2 薄膜的分子结构表征
第30页
2.2.4 MoS_2 薄膜组分及键能分析
第30-31页
2.2.5 MoS_2 薄膜晶体结构表征
第31-32页
2.3 MoS_2 背栅晶体管阵列器件的制备及测试
第32-36页
2.3.1 栅控制极制作
第32-33页
2.3.2 薄膜转移
第33页
2.3.3 源漏电极的制备
第33-35页
2.3.4 器件电学性能及阵列器件一致性测试
第35-36页
第三章 晶圆级、层数可控MoS_2薄膜的制备
第36-53页
3.1 钼金属薄膜前驱体的制备
第36-38页
3.1.1 磁控溅射法
第37-38页
3.1.2 离子束溅射制备钼膜
第38页
3.2 热蒸汽硫化钼膜制备晶圆级MoS_2薄膜
第38-45页
3.2.1 升温速率对MoS_2晶体结构的影响
第39-44页
3.2.2 硫化温度对MoS_2晶体结构的影响
第44-45页
3.3 MoS_2 薄膜可控层数的制备
第45-50页
3.3.1 钼膜厚度与MoS_2薄膜厚度的关系
第45-46页
3.3.2 MoS_2 薄膜的厚度表征
第46-50页
3.4 大面积MoS_2晶体缺陷分析
第50-52页
3.5 本章小结
第52-53页
第四章 MoS_2阵列器件的制备及传输特性研究
第53-67页
4.1 MoS_2 背栅FET阵列器件
第53-55页
4.1.1 背栅FET阵列器件的基本结构
第53页
4.1.2 背栅FET阵列器件的制作与测试
第53-55页
4.2 MoS_2 层数对器件电学性能影响的研究
第55-63页
4.2.1 层数对背栅FET载流子迁移率的影响
第56-58页
4.2.2 层数对沟道电阻的影响
第58-60页
4.2.3 MoS_2 光电晶体管的光电效应
第60-62页
4.2.4 层数对MoS_2-FET光电流的影响
第62-63页
4.3 MoS_2 传输机制的研究
第63-65页
4.3.1 缺陷对MoS_2电学特性的影响
第63-64页
4.3.2 MoS_2 结构缺陷对光电效应的影响
第64-65页
4.4 本章小结
第65-67页
第五章 总结与展望
第67-69页
5.1 本文总结
第67-68页
5.2 展望
第68-69页
参考文献
第69-77页
发表论文和科研情况说明
第77-78页
致谢
第78页
本篇论文共
78
页,
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