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新型复合空穴注入材料/电子传输材料改善OLED发光性能的研究

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新型复合空穴注入材料/电子传输材料改善OLED发光性能的研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-9页
第一章 绪论第9-18页
  1.1 引言第9页
  1.2 OLED的发展历程及产业现状第9-12页
  1.3 OLED器件理论基础和工艺简介第12-15页
    1.3.1 OLED的发光原理第12-13页
    1.3.2 激子的形成及辐射第13-14页
    1.3.3 OLED器件的制备及测试第14-15页
  1.4 OLED中载流子高效注入的研究第15-16页
    1.4.1 空穴注入的研究第15-16页
    1.4.2 电子注入的研究第16页
  1.5 本论文的主要研究工作第16-18页
第二章 复合空穴注入层MoO_3/Al/MoO_3对OLED性能影响的研究第18-33页
  2.1 前言第18页
  2.2 实验部分第18-21页
    2.2.1 实验材料与仪器设备第18-20页
    2.2.2 实验所采用的OLED器件结构及其制备方法第20-21页
  2.3 c-HIL对OLED器件发光性能的影响及分析第21-32页
    2.3.1 OLED的发光性能第21-22页
    2.3.2 薄层Al的形貌表征及分析第22-24页
    2.3.3 c-HIL中薄层Al对其透过率的影响第24-25页
    2.3.4 c-HIL对光输出的影响原因分析第25-28页
    2.3.5 薄层Al对注入层能级结构的影响分析第28-29页
    2.3.6 通过空间限制电流的计算来表征空穴注入层的空穴注入效率第29-30页
    2.3.7 利用阻抗测试和导电原子力显微镜表征空穴注入层的电阻第30-32页
  2.4 本章小结第32-33页
第三章 复合空穴注入层PEDOT:PSS-MoO_3对OLED性能影响的研究第33-43页
  3.1 引言第33页
  3.2 实验材料与仪器第33-34页
  3.3 c-HIL和发光器件的制备第34-35页
  3.4 c-HIL的表征与测试第35-41页
    3.4.1 c-HIL的形貌表征与分析第35-37页
    3.4.2 c-HIL的接触角分析第37-38页
    3.4.3 c-HIL中 Mo元素的价态分析第38页
    3.4.4 c-HIL的光学特性与分析第38-39页
    3.4.5 c-HIL表面功函数的测试分析第39-40页
    3.4.6 OLED器件阻抗谱分析第40-41页
  3.5 OLED器件的电致发光性能分析第41-42页
  3.6 本章小结第42-43页
第四章 复合电子传输层SnO_2/PEI在倒置OLED中的应用探究第43-56页
  4.1 前言第43页
  4.2 实验部分第43-44页
    4.2.1 实验药品与材料第43-44页
    4.2.2 实验器件的制备第44页
  4.3 SnO_2薄膜的表征第44-46页
  4.4 实验结果与分析第46-55页
    4.4.1 SnO_2倒置发光器件的光电性能与分析第46-47页
    4.4.2 c-ETL对OLED器件发光性能的影响第47-50页
    4.4.3 OLED中c-ETL厚度的优化探究第50-52页
    4.4.4 发光层掺杂对OLED发光性能影响的探究第52-55页
  4.5 本章小结第55-56页
第五章 全文总结与展望第56-58页
全文总结第56-57页
后续展望第57-58页
参考文献第58-64页
发表论文和科研情况说明第64-65页
致谢第65页

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