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基于MET的高压VDMOS器件模型研究

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基于MET的高压VDMOS器件模型研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-20页
  · VDMOS的结构以及特性第10-13页
  · VDMOS器件及模型研究进展第13-16页
  · 本论文的工作第16-19页
  · 论文结构第19页
  · 本章小结第19-20页
第二章 MOSFET器件模型第20-28页
  · SPICE模型第20-24页
    · SPICE模型概述第20-22页
    · SPICE器件模型的发展第22-24页
  · 高压VDMOS器件模型第24-27页
    · 模型说明第24页
    · 等效电路第24-25页
    · 模型方程第25-27页
  · 本章小结第27-28页
第三章 高压VDMOS器件建模第28-52页
  · 士兰微高压VDMOS器件参数测试第29-35页
    · svd7n60f关键特性参数第33-34页
    · 典型器件特性曲线分析第34-35页
  · 改进的VDMOS模型第35-36页
  · 基于FREESCALE MET模型的参数提取和验证第36-39页
  · 使用VERILOG-A语言嵌入仿真软件第39-51页
    · 器件的Verilog-A代码模型在Cadence环境下调用方法第40-51页
    · 在Cadence环境下典型器件的veriloga代码实现第51页
  · 本章小结第51-52页
第四章 模型仿真验证第52-58页
  · 典型器件的仿真第52-56页
    · 转移特性仿真第52页
    · 输出特性仿真第52-53页
    · 栅漏电容随栅漏电压的仿真结果第53-54页
    · 漏源电容随漏源电压的仿真结果第54页
    · 栅漏电容随栅源电压的仿真结果第54-55页
    · 栅漏电容随漏源电压的仿真结果第55-56页
  · 本章小结第56-58页
第五章 总结第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-64页
附录一第64-65页
附录二第65-71页

本篇论文共71页,点击这进入下载页面
 
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