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超结及高K介质器件的研究与设计
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超结及高K介质器件的研究与设计
论文目录
摘要
第1-6页
Abstract
第6页
第1章 绪论
第8-15页
1.1 研究背景与意义
第8-9页
1.2 功率MOSFET研究现状
第9-14页
1.3 本论文的主要工作
第14-15页
第2章 超结技术原理介绍
第15-19页
2.1 超结技术原理
第15-16页
2.2 超结制造技术
第16-17页
2.2.1 多步外延技术
第16页
2.2.2 深槽刻蚀和外延生长技术
第16-17页
2.2.3 多步离子注入技术
第17页
2.3 高K介质MOSFET简介
第17-19页
第3章 超结的特性研究与设计
第19-35页
3.1 超结元胞设计方法
第19-25页
3.2 超结关键电场线研究
第25-29页
3.3 给定击穿电压和不同深宽比下超结比导通电阻的研究
第29-32页
3.4 非平衡超结结构研究
第32-34页
3.5 本章小结
第34-35页
第4章 高K绝缘介质MOSFET研究
第35-57页
4.1 高K绝缘介质条形元胞设计方法
第35-38页
4.2 高K介质MOSFET的设计
第38-47页
4.3 改进型高K介质MOSFET的研究
第47-56页
4.4 本章小结
第56-57页
参考文献
第57-61页
总结及展望
第61-62页
致谢
第62-63页
攻读硕士期间发表的论文
第63页
本篇论文共
63
页,
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。
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