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超结及高K介质器件的研究与设计

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超结及高K介质器件的研究与设计
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第8-15页
    1.1 研究背景与意义第8-9页
    1.2 功率MOSFET研究现状第9-14页
    1.3 本论文的主要工作第14-15页
第2章 超结技术原理介绍第15-19页
    2.1 超结技术原理第15-16页
    2.2 超结制造技术第16-17页
        2.2.1 多步外延技术第16页
        2.2.2 深槽刻蚀和外延生长技术第16-17页
        2.2.3 多步离子注入技术第17页
    2.3 高K介质MOSFET简介第17-19页
第3章 超结的特性研究与设计第19-35页
    3.1 超结元胞设计方法第19-25页
    3.2 超结关键电场线研究第25-29页
    3.3 给定击穿电压和不同深宽比下超结比导通电阻的研究第29-32页
    3.4 非平衡超结结构研究第32-34页
    3.5 本章小结第34-35页
第4章 高K绝缘介质MOSFET研究第35-57页
    4.1 高K绝缘介质条形元胞设计方法第35-38页
    4.2 高K介质MOSFET的设计第38-47页
    4.3 改进型高K介质MOSFET的研究第47-56页
    4.4 本章小结第56-57页
参考文献第57-61页
总结及展望第61-62页
致谢第62-63页
攻读硕士期间发表的论文第63页

本篇论文共63页,点击这进入下载页面
 
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