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用于GaAs基量子级联激光器的欧姆接触新结构、工艺与测量
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用于GaAs基量子级联激光器的欧姆接触新结构、工艺与测量
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-11页
　　1.1 研究背景第9-10页
　　1.2 研究目的第10页
　　1.3 研究意义第10-11页
第二章 材料选择第11-22页
　　2.1 基本介绍第11页
　　2.2 基本体系第11-15页
　　2.3 扩散阻挡层第15-16页
　　2.4 使用低温砷化镓生长的非合金化欧姆接触第16-21页
　　2.5 本章小结第21-22页
第三章 欧姆接触的制作第22-31页
　　3.1 光刻第22-23页
　　3.2 腐蚀第23-24页
　　3.3 快速热退火第24-27页
　　3.4 Lift-off第27页
　　3.5 表面处理第27-28页
　　3.6 金属淀积第28页
　　3.7 n-GaAs 欧姆接触实验流程第28-29页
　　3.8 本章小结第29-31页
第四章 测量工艺第31-47页
　　4.1 欧姆接触的测量第31-42页
　　4.2 电接触连接的改良第42-46页
　　4.3 本章小结第46-47页
第五章 方案与总结第47-52页
　　5.1 Ge/Au/Ag/Au第47-49页
　　5.2 Pd/Ge/Pd/Au第49-50页
　　5.3 低温生长砷化镓系统第50-51页
　　5.4 本章小结第51-52页
第六章 全文总结第52-54页
　　6.1 主要工作和成果第52-53页
　　6.2 研究展望第53-54页
参考文献第54-57页
图片目录第57-60页
表目录第60-61页
附录一 相关基本理论第61-65页
1 金属——半导体界面第61-63页
2 接触电阻率第63-65页
附录二 GaAs 半导体中欧姆接触相关元素的二元相图第65-69页
致谢第69页

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