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纳米粒子和碳纳米管的自组装及硅纳米柱阵列的刻蚀加工研究
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纳米粒子和碳纳米管的自组装及硅纳米柱阵列的刻蚀加工研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-28页
　　1.1 纳米加工技术的发展第12-13页
　　1.2 纳米加工技术简介第13-20页
　　　　1.2.1 减小曝光光源波长的加工技术第13-15页
　　　　1.2.2 纳米复制加工技术第15-16页
　　　　1.2.3 探针直接书写式纳米加工技术第16-19页
　　　　1.2.4 纳米掩膜刻蚀加工技术第19-20页
　　1.3 纳米薄膜组装技术简介第20-23页
　　　　1.3.1 L-B 膜技术第20-22页
　　　　1.3.2 自组装膜技术第22-23页
　　1.4 自组装纳米薄膜特点及研究意义第23-25页
　　1.5 本论文的研究意义、目标与工作内容第25-28页
　　　　1.5.1 本文的研究意义第25-26页
　　　　1.5.2 本课题的研究目标第26页
　　　　1.5.3 本文主要内容第26-28页
第二章 金纳米粒子的制备及表征第28-36页
　　2.1 金纳米粒子制备的基本原理第28页
　　2.2 液相法制备金纳米粒子的影响因素第28-30页
　　　　2.2.1 反应时间的影响第28-29页
　　　　2.2.2 反应物浓度的影响第29页
　　　　2.2.3 表面活性剂的影响第29页
　　　　2.2.4 浓度比例的影响第29-30页
　　　　2.2.5 还原剂的影响第30页
　　2.3 金纳米粒子溶胶的制备第30-32页
　　　　2.3.1 试剂和仪器第31页
　　　　2.3.2 金纳米粒子溶胶的合成第31-32页
　　2.4 金纳米粒子的粒径测试第32-33页
　　2.5 金纳米粒子溶胶的稳定性第33-35页
　　2.6 本章小节第35-36页
第三章 纳米粒子的自组装第36-52页
　　3.1 金纳米粒子自组装单层膜的排布第37-46页
　　　　3.1.1 金纳米粒子的自组装原理第37-38页
　　　　3.1.2 实验部分第38-41页
　　　　3.1.3 实验结果与讨论第41-46页
　　3.2 二氧化硅纳米粒子的排布第46-51页
　　　　3.2.1 二氧化硅纳米粒子的自组装第47-48页
　　　　3.2.2 二氧化硅纳米粒子的垂直沉积法排布第48-49页
　　　　3.2.3 二氧化硅纳米粒子的提拉自组装排布第49-51页
　　3.3 结论第51-52页
第四章 碳纳米管的自组装排布第52-61页
　　4.1 碳纳米管简介第52-55页
　　　　4.1.1 碳纳米管的结构第52-54页
　　　　4.1.2 碳纳米管的应用第54-55页
　　4.2 碳纳米管的排布的现状第55-56页
　　4.3 实验步骤第56页
　　4.4 结果与讨论第56-58页
　　　　4.4.1 不同单壁碳纳米管浓度组装的影响第56-58页
　　　　4.4.2 单壁碳纳米管组装不同时间的影响第58页
　　4.5 自组装与LB 拉膜法排布单壁碳纳米管的比较第58-60页
　　4.6 本章小结第60-61页
第五章 反应离子刻蚀纳米柱阵列的制备第61-80页
　　5.1 反应离子刻蚀加工工艺参数第61-63页
　　5.2 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)第63-69页
　　　　5.2.1 等离子体(Plasma)简介第63-64页
　　　　5.2.2 反应离子刻蚀的基本原理第64-66页
　　　　5.2.3 反应离子刻蚀工艺影响因素第66-69页
　　5.3 高深宽比的硅纳米柱阵列的制备第69-79页
　　　　5.3.1 刻蚀气体的影响第70-72页
　　　　5.3.2 刻蚀气体配比的影响第72-74页
　　　　5.3.3 刻蚀功率的影响第74-75页
　　　　5.3.4 刻蚀气体压力的影响第75-77页
　　　　5.3.5 刻蚀时间的影响第77-79页
　　5.4 本章小结第79-80页
第六章 结论第80-82页
参考文献第82-90页
致谢第90-91页
攻读硕士期间发表的论文第91页

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