论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5
页 |
| Abstract | 第5-9
页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19
页 |
| · 引言 | 第9
页 |
| · 硫属化合物薄膜 | 第9-17
页 |
| · 硫属化合物薄膜的性质 | 第9-13
页 |
| · 硫族化合物半导体薄膜的制备方法及研究现状 | 第13-17
页 |
| · 课题的目的、意义及研究内容 | 第17-18
页 |
| · 本论文选题的目的 | 第17
页 |
| · 本课题的研究意义 | 第17-18
页 |
| · 本课题的研究内容和目标 | 第18
页 |
| · 本章小结 | 第18-19
页 |
| 第2章 SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的理论基础 | 第19-27
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3沉淀的溶解度和溶度积 | 第19-21
页 |
| · Bi_2Se_3和Sb_2Se_3的溶解度和溶度积 | 第19-20
页 |
| · 影响沉淀的因素 | 第20-21
页 |
| · 半导体固溶体 | 第21-23
页 |
| · 固溶体的基本特征 | 第21-22
页 |
| · 固溶体的禁带展宽与跃迁类型的转变 | 第22
页 |
| · 固溶体从半金属到半导体的转变 | 第22-23
页 |
| · 薄膜生长过程与模式 | 第23-26
页 |
| · 薄膜的生长过程及模式 | 第23-24
页 |
| · 衬底上的非均相形核 | 第24-26
页 |
| · 本章小结 | 第26-27
页 |
| 第3章 SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的原理及试验 | 第27-42
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的生长试验 | 第27-34
页 |
| · SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的方案 | 第27-28
页 |
| · SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的原理 | 第28-29
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜样品的制备 | 第29-32
页 |
| · SILAR法制备Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜工艺参数的影响 | 第32-34
页 |
| · 薄膜厚度试验 | 第34-36
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜厚度试验方案 | 第34
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜厚度试验现象分析 | 第34-35
页 |
| · 影响薄膜厚度的因素 | 第35-36
页 |
| · 变组分试验 | 第36-38
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜变组分试验方案 | 第36-37
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜变组分试验样品的制备 | 第37-38
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜样品的退火工艺 | 第38-41
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜退火方案 | 第38-40
页 |
| · 退火设备 | 第40-41
页 |
| · 影响退火的因素 | 第41
页 |
| · 本章小结 | 第41-42
页 |
| 第4章 Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的测试与表征 | 第42-57
页 |
| · 薄膜样品的测试仪器和原理简述 | 第42-47
页 |
| · 测试仪器 | 第42-43
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜测试原理 | 第43-47
页 |
| · 薄膜样品的测试结果分析 | 第47-56
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的导电类型 | 第47
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜厚度测试 | 第47-48
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜物相结构及退火对其结晶性能的影响 | 第48-50
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜退火前后表面形貌分析 | 第50-52
页 |
| · 组分对Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜影响 | 第52-55
页 |
| · Bi_xSb_(2-x)Se_3薄膜的禁带宽度随组分的变化规律 | 第55-56
页 |
| · 本章小结 | 第56-57
页 |
| 第5章 结论与展望 | 第57-58
页 |
| · 结论 | 第57
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| · 将来有待进行的工作 | 第57-58
页 |
| 致谢 | 第58-59
页 |
| 参考文献 | 第59-65
页 |
