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0.13微米CMOS逻辑工艺和片上集成无源器件的开发
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0.13微米CMOS逻辑工艺和片上集成无源器件的开发
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-6页
引言第6-7页
第一章 0.13微米技术平台介绍第7-19页
　　1.1 半导体工艺技术的发展第7-15页
　　　　1.1.1 半导体器件的发展第7-8页
　　　　1.1.2 集成电路关键尺寸的发展第8-9页
　　　　1.1.3 集成电路金属互连工艺的发展第9-10页
　　　　1.1.4 片上螺旋电感技术第10-13页
　　　　1.1.5 半导体技术的发展趋势第13-15页
　　1.2 0.13微米技术平台背景简介第15页
　　1.3 0.13微米技术平台的技术构成第15-16页
　　1.4 0.13微米技术平台的技术方案第16-19页
第二章 0.13微米CMOS逻辑工艺开发第19-42页
　　2.1 有源区和浅槽隔离结构工艺开发第19-30页
　　　　2.1.1 STI光刻第19-21页
　　　　2.1.2 STI刻蚀第21-30页
　　2.2 栅结构工艺开发第30-36页
　　　　2.2.1 Gate poly的光刻第30-32页
　　　　2.2.2 Gate poly的刻蚀第32-34页
　　　　2.2.3 spacer的刻蚀第34-36页
　　2.3 接触孔工艺开发第36-41页
　　　　2.3.1 接触孔光刻第37页
　　　　2.3.2 接触孔刻蚀第37-41页
　　2.4 本章小结第41-42页
第三章 铝金属互连工艺开发第42-51页
　　3.1 铝金属工艺开发第42-46页
　　　　3.1.1 METAL1光刻工艺开发第42-43页
　　　　3.1.2 METAL2光刻工艺开发第43-44页
　　　　3.1.3 METAL层刻蚀工艺开发第44-46页
　　3.2 通孔工艺开发第46-50页
　　　　3.2.1 通孔光刻工艺开发第46-48页
　　　　3.2.2 通孔刻蚀工艺开发第48-50页
　　3.3 本章小结第50-51页
第四章 铜金属互连工艺开发第51-57页
　　4.1 铜后道工艺开发总述第51页
　　4.2 M6的工艺开发第51-52页
　　4.3 VT1和VT2的工艺开发第52-53页
　　4.4 MT的工艺开发第53-54页
　　4.5 MTT的工艺开发第54-56页
　　4.6 本章小结第56-57页
第五章 片上集成无源器件的开发与测试第57-71页
　　5.1 电感特性与结构参数的关系第57-63页
　　　　5.1.1 电感值第57-60页
　　　　5.1.2 品质因子(Q值)第60-63页
　　5.2 电感RF测试结果第63-70页
　　　　5.2.1 单端传统电感第63-66页
　　　　5.2.2 渐变单端电感第66页
　　　　5.2.3 叠层串联电感第66-68页
　　　　5.2.4 差分电感第68-69页
　　　　5.2.5 加屏蔽层的电感第69-70页
　　5.3 电感测试结果汇总第70页
　　5.4 本章小结第70-71页
第六章 总结第71-73页
　　6.1 项目研究成果第71页
　　6.2 前景与展望第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-78页

本篇论文共78页，点击这进入下载页面。
 
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