氢化非晶硅液晶空间光调制器的制备与性能研究

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氢化非晶硅液晶空间光调制器的制备与性能研究

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氢化非晶硅液晶空间光调制器的制备与性能研究

论文目录
摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章绪论	第10-18页
1.1 典型液晶空间光调制器	第12-14页
1.1.1 硫化镉空间光调制器	第12页
1.1.2 氢化非晶硅/铁电液晶(a-Si：H/FLC)调制器	第12-13页
1.1.3 BSO空间光调制器	第13-14页
1.2 液晶空间光调制器的应用	第14页
1.3 国内外研究现状和发展态势	第14-16页
1.4 论文研究内容及意义	第16-18页
第二章液晶空间光调制器的理论分析	第18-29页
2.1 空间光调制器设计实现基本结构	第18-22页
2.1.1 开关比	第20页
2.1.2 分辨率	第20-21页
2.1.3 灵敏度	第21-22页
2.1.4 响应速度	第22页
2.2 液晶空间光调制器功能层理论分析	第22-24页
2.2.1 光敏层的制备	第22-23页
2.2.2 吸收层的制备	第23页
2.2.3 高反膜介质镜原理	第23-24页
2.3 表征方法介绍	第24-27页
2.3.1 紫外可见光透射光谱	第24-25页
2.3.3 椭圆偏振光法	第25-26页
2.3.4 傅里叶红外吸收光谱	第26-27页
2.3.5 电导率测试法	第27页
2.4 本章小结	第27-29页
第三章光敏层氢化非晶硅薄膜的制备	第29-56页
3.1 氢化非晶硅薄膜沉积方法及生长机理	第29-35页
3.1.1 PECVD沉积	第29-30页
3.1.2 PECVD法镀膜特点	第30-35页
3.2 氢化非晶硅薄膜掺杂及微观测试	第35-39页
3.3 影响薄膜沉积的参数	第39-44页
3.3.1 射频功率	第39-41页
3.3.2 流量	第41-42页
3.3.3 压强	第42-43页
3.3.4 衬底温度	第43-44页
3.4 光学性能	第44-48页
3.4.1 掺杂量与折射率的关系	第45-46页
3.4.2 掺杂量与消光系数	第46-47页
3.4.3 掺杂量与禁带宽度	第47-48页
3.5 电学性能	第48-50页
3.5.1 掺杂浓度对氢化非晶硅暗电阻率的影响	第48-49页
3.5.2 掺杂浓度对光暗电导比值的影响	第49-50页
3.6 非晶硅傅里叶红外谱测试	第50-52页
3.7 非晶硅可见光谱测试	第52-54页
3.7.1 透过率测试	第52-54页
3.7.2 薄膜吸收值的测试	第54页
3.8 本章小结	第54-56页
第四章液晶空间光调制器的制备及测试	第56-65页
4.1 液晶	第56-57页
4.2 各个膜层的工艺参数	第57-63页
4.2.1 光吸收层的制备	第57-59页
4.2.2 高反射率介质镜的制备	第59-61页
4.2.3 液晶盒取向层的制备	第61-63页
4.3 液晶空间光调制器的测试	第63-64页
4.4 本章小结	第64-65页
第五章总结与展望	第65-67页
5.1 工作总结	第65-66页
5.2 工作展望	第66-67页
致谢	第67-68页
参考文献	第68-72页
攻读硕士期间研究成果	第72页

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