CVD法制备石墨烯及其光电性能研究

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CVD法制备石墨烯及其光电性能研究

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CVD法制备石墨烯及其光电性能研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第1章绪论	第10-20页
1.1 课题研究背景	第10页
1.2 石墨烯的结构	第10-11页
1.3 石墨烯的光电性质	第11-13页
1.3.1 光学性质	第11-12页
1.3.2 电学性质	第12-13页
1.4 石墨烯制备方法	第13-17页
1.5 石墨烯场效应晶体管的研究现状	第17-19页
1.6 课题研究意义及内容	第19-20页
第2章实验及表征方法	第20-29页
2.1 实验材料及设备	第20-23页
2.1.1 实验材料	第20-21页
2.1.2 实验设备	第21-23页
2.2 石墨烯的制备与转移	第23-25页
2.2.1 石墨烯的制备	第23-24页
2.2.2 石墨烯的转移	第24-25页
2.3 表征方法	第25-29页
第3章石墨烯的制备与表征	第29-38页
3.1 引言	第29页
3.2 铜箔质量对石墨烯生长的影响	第29-30页
3.3 碳源浓度对石墨烯生长的影响	第30-34页
3.4 石墨烯薄膜的透光率测试	第34-35页
3.5 石墨烯的薄膜方阻测试	第35-37页
3.6 本章小结	第37-38页
第4章石墨烯场效应晶体管	第38-47页
4.1 引言	第38页
4.2 石墨烯场效应晶体管的结构以及工作原理	第38-39页
4.3 石墨烯场效应晶体管的制备	第39-40页
4.4 石墨烯场效应晶体管电学性能研究	第40-46页
4.4.1 不同沟道长度的GFET的电学性能	第40-44页
4.4.2 GFET的低压导电特性	第44页
4.4.3 GFET的低温导电特性	第44-46页
4.5 本章小结	第46-47页
结论	第47-48页
参考文献	第48-52页
攻读硕士学位期间发表的学术论文	第52-53页
致谢	第53页

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