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基于CMOS忆阻器混合电路的逻辑门设计及其应用

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基于CMOS忆阻器混合电路的逻辑门设计及其应用
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 绪论第11-19页
  1.1 课题的研究背景及意义第11-14页
  1.2 忆阻器逻辑设计的研究现状第14-17页
    1.2.1 国外研究现状第14-15页
    1.2.2 国内研究现状第15-17页
  1.3 本文研究内容与组织结构第17-19页
    1.3.1 本文研究的主要内容第17-18页
    1.3.2 文章组织结构第18-19页
第2章 忆阻器逻辑原理概述第19-28页
  2.1 忆阻器模型第19-24页
  2.2 忆阻器逻辑原理第24-26页
  2.3 GDI单元原理第26-27页
  2.4 小结第27-28页
第3章 MeMOS单元原理概述第28-35页
  3.1 MeMOS单元电路第28-31页
    3.1.1 MeMOS单元电路结构第28-29页
    3.1.2 MeMOS单元电路瞬态分析第29-31页
  3.2 电压幅值恢复第31-34页
    3.2.1 输出电压幅值问题第31-32页
    3.2.2 电压幅值恢复方法第32-33页
    3.2.3 Buffer插入第33-34页
  3.3 小结第34-35页
第4章 基于MeMOS单元逻辑电路设计第35-45页
  4.1 基于MeMOS基本逻辑门设计第35-38页
    4.1.1 AND、OR和MUX逻辑电路第35-37页
    4.1.2 XOR和XNOR逻辑电路第37-38页
  4.2 基于MeMOS复合逻辑门设计第38-41页
  4.3 基于MeMOS多输入扩展分析第41-44页
    4.3.1 忆阻器阻值态分析第41页
    4.3.2 MeMOS单元扩展分析第41-44页
  4.4 小结第44-45页
第5章 实验结果分析与应用第45-53页
  5.1 实验结果分析第45-48页
  5.2 一位全加器设计第48-50页
    5.2.1 一位全加器电路结构第48-50页
    5.2.2 XOR/一位全加器实验结果比较第50页
  5.3 逻辑综合应用第50-52页
  5.4 小结第52-53页
结论第53-55页
参考文献第55-60页
致谢第60页

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