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冷冻干燥法制备多孔Si3N4陶瓷及性能研究
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冷冻干燥法制备多孔Si3N4陶瓷及性能研究
论文目录
 
摘要第1-10页
Abstract第10-13页
第一章 绪论第13-27页
　　· 引言第13页
　　· 多孔陶瓷的分类第13页
　　· 多孔陶瓷的应用第13-15页
　　　　· 催化剂载体第14页
　　　　· 防隔热材料第14页
　　　　· 过滤、分离材料第14-15页
　　　　· 功能化多孔陶瓷材料第15页
　　· 多孔陶瓷的制备方法第15-17页
　　　　· 添加造孔剂法第15-16页
　　　　· 发泡法第16页
　　　　· 凝胶注模法第16页
　　　　· 化学气相渗透法第16页
　　　　· 冷冻干燥法第16-17页
　　· 冷冻干燥法的国内外研究进展第17-21页
　　· 氮化硅的结构特征及多孔氮化硅陶瓷的研究进展第21-24页
　　　　· 氮化硅的结构特征第21-23页
　　　　· 多孔氮化硅陶瓷的研究进展第23-24页
　　· 论文工作的提出、研究内容和意义第24-27页
第二章 实验及研究方法第27-31页
　　· 实验原料第27-28页
　　· 研究方法与实验设备第28页
　　· 材料的组织结构分析和性能测试方法第28-31页
　　　　· 力学性能测试第28-29页
　　　　· 体积密度和气孔率测定第29页
　　　　· 多孔陶瓷的孔径大小测试第29页
　　　　· 烧结收缩的测定第29-30页
　　　　· 物相分析第30页
　　　　· 扫描电镜分析第30页
　　　　· 介电性能分析第30-31页
第三章 冷冻干燥法制备多孔氮化硅陶瓷第31-53页
　　· 引言第31页
　　· 实验原理与模具设计第31-32页
　　· 工艺流程图第32-33页
　　· 料浆的制备与特性第33-36页
　　　　· 分散剂的种类第33页
　　　　· 氮化硅料浆的Zeta电位随pH值的变化第33-34页
　　　　· 氮化硅料浆的流变特性第34-36页
　　· 实验配方、烧结制度及其他工艺参数的确定第36-38页
　　· 分散剂含量的影响第38-42页
　　　　· 气孔率、体积密度、力学性能第38-39页
　　　　· 相变、微观分析第39-41页
　　　　· 介电常数与介电损耗第41-42页
　　· 粘结剂含量的影响第42-46页
　　　　· 气孔率、体积密度、力学性能第42-43页
　　　　· 相变、孔径分布、微观分析第43-46页
　　· 料浆固相含量的影响第46-51页
　　　　· 气孔率、体积密度、力学性能第46-47页
　　　　· 相变、孔径分布、微观分析第47-50页
　　　　· 介电常数与介电损耗第50-51页
　　· 本章小结第51-53页
第四章 多孔氮化硅陶瓷微观结构及性能的优化与调控第53-73页
　　· 引言第53页
　　· 甘油的添加量对多孔氮化硅陶瓷性能的影响第53-59页
　　　　· 气孔率、体积密度、力学性能第53-55页
　　　　· 相变、孔径分布、微观分析第55-58页
　　　　· 介电常数与介电损耗第58-59页
　　· 硅溶胶的添加量对多孔氮化硅陶瓷的影响第59-64页
　　　　· 气孔率、体积密度、力学性能第59-60页
　　　　· 相变、孔径分布、微观分析第60-63页
　　　　· 介电常数与介电损耗第63-64页
　　· 本章小结第64页
　　· 其他工作第64-73页
　　　　· 微波烧结第65-69页
　　　　· 热压烧结第69-73页
第五章 结论与展望第73-77页
　　· 结论第73-74页
　　· 展望第74-77页
参考文献第77-83页
致谢第83-85页
附录第85页

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