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二氧化碲—维纳米结构的气敏性能研究

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二氧化碲—维纳米结构的气敏性能研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-16页
  1.1 引言第10-12页
  1.2 半导体气敏传感器第12-14页
  1.3 本文的研究意义及研究内容第14-16页
第二章 TeO_2纳米线的制备表征和器件构筑第16-28页
  2.1 引言第16页
  2.2 TeO_2的结构与性质第16-17页
  2.3 TeO_2一维纳米结构的制备第17-19页
    2.3.1 制备方法和生长机理第17-18页
    2.3.2 实验装置第18-19页
    2.3.3 制备过程第19页
  2.4 结果和分析第19-23页
    2.4.1 二氧化碲一维纳米结构的XRD分析第19-21页
    2.4.2 二氧化碲一维纳米结构的SEM分析第21-23页
  2.5 构筑TeO_2纳米器件第23-25页
  2.6 测试系统介绍第25-27页
    2.6.1 气敏测试平台的搭建第25-26页
    2.6.2 测试程序介绍第26-27页
  2.7 本章小结第27-28页
第三章 气体吸附对TeO_2纳米线电导的影响第28-36页
  3.1 引言第28-29页
  3.2 欧姆接触样品的测试第29-31页
  3.3 肖特基接触样品的测试第31-35页
  3.4 本章小结第35-36页
第四章 气体吸附对TeO_2纳米线忆阻性能的影响第36-46页
  4.1 引言第36-37页
  4.2 欧姆接触样品忆阻性能第37-39页
  4.3 肖特基接触样品忆阻性能测试第39-45页
  4.4 本章小结第45-46页
第五章 总结和展望第46-48页
参考文献第48-59页
附录:攻读硕士学位期间论文完成情况第59-60页
致谢第60页

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