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GaN HEMT低噪声器件建模与高效率放大器设计

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GaN HEMT低噪声器件建模与高效率放大器设计
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-16页
  · 课题背景第10-11页
  · 发展动态第11-15页
    · GaN HEM 低噪声器件发展动态第11-12页
    · GaN HEMT 建模发展动态第12-14页
    · GaN HEMT 高效率功率放大器发展动态第14-15页
  · 本文主要内容第15-16页
第二章 GaN 低噪声 HEMT 物理模型研究第16-36页
  · GaN HTMT 工作机理第16-20页
    · GaN HTMT 器件结构第16页
    · GaN HEMT 二维电子气的形成第16-19页
    · GaN HEMT 势阱的形成第19页
    · GaN HEMT 放大机理第19-20页
  · GaN HEMT 噪声基础第20-23页
    · 器件噪声的表征参数第20页
    · 有源二端口网络噪声系数的一般表达式第20-21页
    · 噪声源的分类与特点第21-23页
  · AlN 插入层对 AlxGa1-xN/InGaN/GaN HEMT 高频噪声的影响第23-29页
    · 器件结构模型第23-24页
    · 数值物理模型的建立第24-26页
    · 模型的验证与分析第26-27页
    · AlN 插入层对 GaN HEMT 高频噪声性能的影响第27-29页
  · 槽栅结构对 GAN HEMT 高频噪声特性影响研究第29-35页
    · 数值物理模型的建立第29-30页
    · 模型的验证与分析第30-31页
    · 槽栅 GaN HEMT 高频噪声特性研究第31-35页
  · 本章小结第35-36页
第三章 GaN HEMT 低噪声等效电路模型及器件设计研究第36-48页
  · GaN HEMT 小信号等效电路模型第36-40页
    · GaN HEMT 小信号模型参数提取第37-39页
    · GaN HEMT 小信号模型参数的优化第39-40页
  · GaN HEMT 噪声等效电路模型第40-43页
    · 噪声等效电路模型的建立第40-41页
    · 噪声等效电路模型的讨论与分析第41-43页
  · GaN HEMT 低噪声器件设计第43-47页
    · 稳定性分析第43-44页
    · 匹配网络设计第44-46页
    · 测试结果与分析第46-47页
  · 本章小结第47-48页
第四章 逆 F 类 GaN HEMT 高效率功率放大器设计第48-75页
  · 功率放大器分类第48-59页
    · 传统功率放大器第48-49页
    · 效率理论分析第49-55页
    · F 类功率放大器第55-56页
    · 逆 F 类功率放大器第56-59页
  · GaN 逆 F 类功率放大器设计第59-65页
    · 直流特性分析第60-61页
    · 负载牵引与源牵引第61-62页
    · 谐波匹配网络设计第62-63页
    · 谐波平衡分析第63-65页
    · 基片与腔体设计第65页
  · 逆 F 类功放测试与分析第65-74页
  · 本章小结第74-75页
第五章 结论第75-77页
  · 本文的主要贡献第75-76页
  · 下一步工作的展望第76-77页
致谢第77-78页
参考文献第78-82页
攻硕期间参与的项目与取得的研究成果第82-83 页

本篇论文共83页,点击这进入下载页面
 
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