论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| · 太阳能光伏电池的发展 | 第10-13页 |
| · 太阳能电池产业的发展 | 第10-11页 |
| · 太阳能电池材料的发展 | 第11-13页 |
| · 太阳能电池的原理 | 第13-15页 |
| · 光-热-电转换 | 第14页 |
| · 光-电直接转换 | 第14-15页 |
| · CIS（CIGS）薄膜太阳能电池 | 第15-19页 |
| 1.3.1 CIS 发展历史和研究现状 | 第15-16页 |
| · CIS（CIGS）太阳能电池的组成 | 第16-19页 |
| · CIS（CIGS）太阳能电池缓冲层的特点 | 第19-20页 |
| 1.5 ZnS 薄膜 | 第20-24页 |
| 1.5.1 无镉 CIGS 太阳电池的国外发展状况 | 第21-23页 |
| 1.5.2 无镉 CIGS 太阳电池的国内发展状况 | 第23-24页 |
| · 薄膜（太阳能）的制备工艺 | 第24-27页 |
| · 物理气相沉积（PVD) | 第24页 |
| · 外延膜沉积技术 | 第24-25页 |
| · 化学气相沉积(CVD) | 第25页 |
| · 化学水浴法（CBD） | 第25-27页 |
| · 研究内容及意义 | 第27-28页 |
| 第二章 实验原理及方法 | 第28-38页 |
| 2.1 化学水浴法制备 ZnS 薄膜 | 第28-31页 |
| · 反应原理[70-72] | 第28-29页 |
| · 实验装置及制备流程 | 第29-31页 |
| · 检测设备 | 第31-38页 |
| 2.2.1 X 射线衍射仪（XRD） | 第31-32页 |
| · 扫描电镜（SEM） | 第32-33页 |
| · 透射电镜（TEM） | 第33-35页 |
| · 能谱仪（EDS）分析 | 第35-36页 |
| · 薄膜厚度测试 | 第36页 |
| · 薄膜的可见光谱测试 | 第36页 |
| 2.2.7 X 射线光电子能谱仪 | 第36-38页 |
| 第三章 化学水浴法制备 ZnS 薄膜性能分析 | 第38-68页 |
| 3.1 ZnS 薄膜厚度检测的结果与分析 | 第38-40页 |
| 3.1.1 氨水浓度对 ZnS 薄膜厚度的影响 | 第38页 |
| 3.1.2 硫脲浓度对 ZnS 薄膜厚度的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.3 硫酸锌浓度对 ZnS 薄膜厚度的影响 | 第39页 |
| 3.1.4 沉积时间对 ZnS 薄膜厚度的影响 | 第39-40页 |
| 3.1.5 沉积温度对 ZnS 薄膜厚度的影响 | 第40页 |
| 本节小结 | 第40页 |
| 3.2 ZnS 薄膜 SEM 检测的结果与分析 | 第40-47页 |
| 3.2.1 氨水浓度对 ZnS 薄膜 SEM 的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 硫脲浓度对 ZnS 薄膜 SEM 的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.3 硫酸锌浓度对 ZnS 薄膜 SEM 的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.4 沉积时间对 ZnS 薄膜 SEM 的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.5 沉积温度对 ZnS 薄膜 SEM 的影响 | 第45页 |
| 3.2.6 不同退火条件对 ZnS 薄膜 SEM 的影响 | 第45-47页 |
| 本节小结 | 第47页 |
| 3.3 ZnS 薄膜透射率检测的结果与分析 | 第47-53页 |
| 3.3.1 氨水浓度对 ZnS 薄膜透射率的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.2 硫脲浓度对 ZnS 薄膜透射率的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.3 硫酸锌浓度对 ZnS 薄膜透射率的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.4 沉积时间对 ZnS 薄膜透射率的影响 | 第50页 |
| 3.3.5 沉积温度对 ZnS 薄膜透射率的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.6 不同退火条件对 ZnS 薄膜透射率的影响 | 第51-53页 |
| 本节小结 | 第53页 |
| 3.4 ZnS 薄膜 XRD 检测的结果与分析 | 第53-57页 |
| 3.4.1 氨水浓度对 ZnS 薄膜 XRD 的影响 | 第53页 |
| 3.4.2 硫脲浓度对 ZnS 薄膜 XRD 的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.3 硫酸锌浓度对 ZnS 薄膜 XRD 的影响 | 第54页 |
| 3.4.4 沉积时间对 ZnS 薄膜 XRD 的影响 | 第54-55页 |
| 3.4.5 沉积温度对 ZnS 薄膜 XRD 的影响 | 第55-56页 |
| 3.4.6 不同退火条件对 ZnS 薄膜 XRD 的影响 | 第56-57页 |
| 本节小结 | 第57页 |
| 3.5 ZnS 薄膜 TEM 检测的结果与分析 | 第57-60页 |
| 3.6 ZnS 薄膜 XPS 检测的结果与分析 | 第60-61页 |
| 本节小结 | 第61页 |
| 3.7 ZnS 薄膜禁带宽度检测的结果与分析 | 第61-68页 |
| 3.7.1 不同工艺对 ZnS 薄膜禁带宽度的影响 | 第62-65页 |
| 3.7.2 退火对 ZnS 薄膜禁带宽度的影响 | 第65-67页 |
| 本节小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75
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