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图案硅衬底上锗硅量子点生长

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图案硅衬底上锗硅量子点生长
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-5页
第一章 量子点位置可控生长的研究现状第5-11页
  §· 自组织生长锗硅量子点及其存在的主要问题第5-6页
  §· 提高量子点有序性的方法第6-7页
  §· 图案衬底生长锗硅量子点第7-10页
  §· 本文的主要工作第10-11页
第二章 生长系统与测试系统介绍第11-15页
  §· 分子束外延技术简介第11页
  §· 锗硅分子束外延系统简介第11-13页
  §· 原子力显微镜第13-15页
第三章 图案硅衬底的制备第15-26页
  §· 纳米球刻蚀技术第15-16页
  §· 聚苯乙烯纳米球自组织单层密堆积排列第16-22页
    §· 旋涂法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜第16-17页
    §· 垂直蒸发法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜第17-19页
    §· Langmuir-Blodgett(LB)法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜第19-22页
  §· 硅图案衬底的制作第22-26页
第四章 图案硅衬底上量子点的生长第26-37页
  §· 图案衬底上的量子点生长第26页
  §· 纳米球刻蚀图案衬底上量子点的生长第26-30页
  §· 温度对图案衬底上量子点生长的影响第30-37页
    §· 不同温度下光刻图案衬底上量子点生长的结果第30-32页
    §· 实验结果讨论第32-36页
    §· 实验结论第36-37页
总结与展望第37-38页
参考文献第38-40页
发表文章第40页
会议文章第40-41页
致谢第41-42 页

本篇论文共42页,点击这进入下载页面
 
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