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渐变带隙液晶空间光调制器光敏层的特性研究
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渐变带隙液晶空间光调制器光敏层的特性研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-11页
第一章 绪论
第11-19页
1.1 引言
第11页
1.2 课题研究背景
第11-14页
1.2.1 液晶光阀的结构与工作原理
第11-13页
1.2.2 光敏层的研究现状和发展态势
第13-14页
1.3 非晶硅和纳米硅材料概述
第14-16页
1.3.1 单晶硅(c-Si)
第14-15页
1.3.2 非晶硅(a-Si)
第15页
1.3.3 纳米硅(nc-Si)薄膜
第15-16页
1.3.4 带隙调控的应用
第16页
1.4 论文研究内容及结构安排
第16-19页
1.4.1 论文主要工作及技术路线
第16-17页
1.4.2 论文结构安排
第17-19页
第二章 薄膜的制备及表征方法
第19-31页
2.1 样品制备及生长机理
第19-24页
2.1.1 等离子体增强化学气相沉积装置
第19-21页
2.1.2 氢化纳米硅薄膜生长机理
第21-23页
2.1.3 样品制备
第23-24页
2.2 薄膜的性能表征方法
第24-30页
2.2.1 原子力显微镜
第24-25页
2.2.2 场发射扫描电镜(SEM)
第25页
2.2.3 拉曼散射光谱
第25-26页
2.2.4 傅里叶红外光谱测试
第26-27页
2.2.5 X射线衍射光谱
第27-28页
2.2.6 紫外-可见透射光谱(UV-vis)
第28-29页
2.2.7 电阻测试及电导率计算
第29-30页
2.3 本章小结
第30-31页
第三章 电子束辐照a-Si:H薄膜的制备与研究
第31-43页
3.1 引言
第31页
3.2 样品制备与测试
第31-32页
3.3 结果与讨论
第32-42页
3.3.1 AFM表面形貌分析
第32-33页
3.3.2 电子束辐照对a-Si:H薄膜微观结构的影响
第33-38页
3.3.2.1 拉曼光谱测试结果与分析
第33-35页
3.3.2.2 XRD光谱测试结果与分析
第35-37页
3.3.2.3 FTIR光谱测试结果与分析
第37-38页
3.3.3 电子束辐照对a-Si:H薄膜光学性能的影响
第38-40页
3.3.4 电子束辐照对a-Si:H薄膜电学性能的影响
第40-42页
3.4 本章总结
第42-43页
第四章 不同氢稀释纳米硅薄膜的制备及研究
第43-53页
4.1 引言
第43页
4.2 样品的制备与测试
第43-44页
4.3 实验结果与讨论
第44-51页
4.3.1 高氢稀释对薄膜微观结构的影响
第44-49页
4.3.1.1 沉积速率
第44-45页
4.3.1.2 傅里叶红外光谱
第45-47页
4.3.1.3 拉曼光谱
第47-49页
4.3.2 高氢稀释对薄膜光学性能的影响
第49-50页
4.3.3 高氢稀释对薄膜电学性能的影响
第50-51页
4.4 本章小结
第51-53页
第五章 掺锗a-SiGe:H薄膜的制备与性能研究
第53-69页
5.1 引言
第53页
5.2 非晶硅锗薄膜的制备与生长机制
第53-55页
5.2.1 非晶硅锗薄膜的生长机制
第53-55页
5.2.2 非晶硅锗薄膜的制备
第55页
5.3 不同反应气体浓度对非晶硅锗薄膜的特性影响
第55-63页
5.3.1 薄膜的生长速率
第55-56页
5.3.2 薄膜的微观结构特性
第56-60页
5.3.2.1 表面形貌(AFM)
第56-57页
5.3.2.2 Raman散射光谱
第57-58页
5.3.2.3 FTIR傅里叶红外光谱
第58-60页
5.3.3 电学特性
第60-61页
5.3.4 光学特性
第61-63页
5.4 液晶光阀光敏层渐变带隙的设计
第63-68页
5.4.1 渐变带隙的设计原理
第63-64页
5.4.2 渐变带隙制备
第64-65页
5.4.3 渐变带隙对光敏层的影响
第65-68页
5.4.3.1 SEM截面测试
第65-66页
5.4.3.2 叠层光学测试
第66-67页
5.4.3.3 叠层电学测试
第67-68页
5.5 本章小结
第68-69页
第六章 总结与展望
第69-71页
6.1 课题总结
第69-70页
6.2 课题展望
第70-71页
致谢
第71-72页
参考文献
第72-77页
攻读硕士学位期间研究成果
第77-78页
本篇论文共
78
页,
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。
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