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渐变带隙液晶空间光调制器光敏层的特性研究

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渐变带隙液晶空间光调制器光敏层的特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-19页
  1.1 引言第11页
  1.2 课题研究背景第11-14页
    1.2.1 液晶光阀的结构与工作原理第11-13页
    1.2.2 光敏层的研究现状和发展态势第13-14页
  1.3 非晶硅和纳米硅材料概述第14-16页
    1.3.1 单晶硅(c-Si)第14-15页
    1.3.2 非晶硅(a-Si)第15页
    1.3.3 纳米硅(nc-Si)薄膜第15-16页
    1.3.4 带隙调控的应用第16页
  1.4 论文研究内容及结构安排第16-19页
    1.4.1 论文主要工作及技术路线第16-17页
    1.4.2 论文结构安排第17-19页
第二章 薄膜的制备及表征方法第19-31页
  2.1 样品制备及生长机理第19-24页
    2.1.1 等离子体增强化学气相沉积装置第19-21页
    2.1.2 氢化纳米硅薄膜生长机理第21-23页
    2.1.3 样品制备第23-24页
  2.2 薄膜的性能表征方法第24-30页
    2.2.1 原子力显微镜第24-25页
    2.2.2 场发射扫描电镜(SEM)第25页
    2.2.3 拉曼散射光谱第25-26页
    2.2.4 傅里叶红外光谱测试第26-27页
    2.2.5 X射线衍射光谱第27-28页
    2.2.6 紫外-可见透射光谱(UV-vis)第28-29页
    2.2.7 电阻测试及电导率计算第29-30页
  2.3 本章小结第30-31页
第三章 电子束辐照a-Si:H薄膜的制备与研究第31-43页
  3.1 引言第31页
  3.2 样品制备与测试第31-32页
  3.3 结果与讨论第32-42页
    3.3.1 AFM表面形貌分析第32-33页
    3.3.2 电子束辐照对a-Si:H薄膜微观结构的影响第33-38页
      3.3.2.1 拉曼光谱测试结果与分析第33-35页
      3.3.2.2 XRD光谱测试结果与分析第35-37页
      3.3.2.3 FTIR光谱测试结果与分析第37-38页
    3.3.3 电子束辐照对a-Si:H薄膜光学性能的影响第38-40页
    3.3.4 电子束辐照对a-Si:H薄膜电学性能的影响第40-42页
  3.4 本章总结第42-43页
第四章 不同氢稀释纳米硅薄膜的制备及研究第43-53页
  4.1 引言第43页
  4.2 样品的制备与测试第43-44页
  4.3 实验结果与讨论第44-51页
    4.3.1 高氢稀释对薄膜微观结构的影响第44-49页
      4.3.1.1 沉积速率第44-45页
      4.3.1.2 傅里叶红外光谱第45-47页
      4.3.1.3 拉曼光谱第47-49页
    4.3.2 高氢稀释对薄膜光学性能的影响第49-50页
    4.3.3 高氢稀释对薄膜电学性能的影响第50-51页
  4.4 本章小结第51-53页
第五章 掺锗a-SiGe:H薄膜的制备与性能研究第53-69页
  5.1 引言第53页
  5.2 非晶硅锗薄膜的制备与生长机制第53-55页
    5.2.1 非晶硅锗薄膜的生长机制第53-55页
    5.2.2 非晶硅锗薄膜的制备第55页
  5.3 不同反应气体浓度对非晶硅锗薄膜的特性影响第55-63页
    5.3.1 薄膜的生长速率第55-56页
    5.3.2 薄膜的微观结构特性第56-60页
      5.3.2.1 表面形貌(AFM)第56-57页
      5.3.2.2 Raman散射光谱第57-58页
      5.3.2.3 FTIR傅里叶红外光谱第58-60页
    5.3.3 电学特性第60-61页
    5.3.4 光学特性第61-63页
  5.4 液晶光阀光敏层渐变带隙的设计第63-68页
    5.4.1 渐变带隙的设计原理第63-64页
    5.4.2 渐变带隙制备第64-65页
    5.4.3 渐变带隙对光敏层的影响第65-68页
      5.4.3.1 SEM截面测试第65-66页
      5.4.3.2 叠层光学测试第66-67页
      5.4.3.3 叠层电学测试第67-68页
  5.5 本章小结第68-69页
第六章 总结与展望第69-71页
  6.1 课题总结第69-70页
  6.2 课题展望第70-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-77页
攻读硕士学位期间研究成果第77-78页

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