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含吡啶聚合物的合成及其分子结构调控对电存储性能的影响

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含吡啶聚合物的合成及其分子结构调控对电存储性能的影响
论文目录
 
中文摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 文献综述第11-32页
  1.1 聚合物电存储材料的研究进展第11-19页
    1.1.1 引言第11-12页
    1.1.2 主链共轭聚合物材料第12-16页
    1.1.3 侧链共轭聚合物材料第16-18页
    1.1.4 树状大分子材料第18-19页
  1.2 聚合物复合材料在电存储领域的研究进展第19-25页
    1.2.1 聚合物-无机复合材料第19-23页
    1.2.2 聚合物-有机小分子复合材料第23-24页
    1.2.3 聚合物-聚合物复合材料第24-25页
  1.3 聚合物复合材料的电存储器件性能优化策略第25-29页
    1.3.1 聚合物自组装第25-27页
    1.3.2 界面保护第27-28页
    1.3.3 层层自组装第28-29页
    1.3.4 多进制聚合物存储材料第29页
  1.4 本论文选题的意义和目的第29-30页
  1.5 本论文的研究内容第30-31页
  1.6 本论文的创新点第31-32页
第二章 卟啉铁的氧化还原性能在聚合物基质的存储器件性能的研究第32-48页
  2.1 引言第32-33页
  2.2 实验部分第33-37页
    2.2.1 实验原料与试剂第33-34页
    2.2.2 嵌段聚合物的制备第34-36页
    2.2.3 测试方法第36页
    2.2.4 器件制备第36-37页
  2.3 实验结果与讨论第37-47页
    2.3.1 复合材料的结构表征和热稳定性表征第37-38页
    2.3.2 复合材料的光学性能第38-40页
    2.3.3 复合材料的电学性能第40-45页
    2.3.4 复合材料的存储机理第45-47页
  2.4 本章小结第47-48页
第三章 一种耐高温多进制存储材料的制备及性能研究第48-62页
  3.1 引言第48页
  3.2 实验部分第48-52页
    3.2.1 实验原料与试剂第48-49页
    3.2.2 聚酰胺的合成第49-50页
    3.2.3 测试方法第50-51页
    3.2.4 电存储器件的制备第51-52页
  3.3 实验结果与讨论第52-60页
    3.3.1 PA-m-Ph 聚合物的结构表征和热稳定性表征第52-53页
    3.3.2 PA-m-Ph的光学性能第53-54页
    3.3.3 PA-m-Ph的电学性能第54-58页
    3.3.4 PA-m-Ph的存储机理第58-60页
  3.4 本章小结第60-62页
第四章 吡啶环为主链的聚酰亚胺共轭大小对存储性能的影响第62-73页
  4.1 引言第62页
  4.2 实验部分第62-65页
    4.2.1 实验原料与试剂第62-63页
    4.2.2 聚酰亚胺的制备第63-64页
    4.2.3 测试方法第64页
    4.2.4 电存储器件的制备第64-65页
  4.3 实验结果与讨论第65-72页
    4.3.1 聚酰亚胺结构表征和热稳定性表征第65页
    4.3.2 聚酰亚胺的光学性能第65-67页
    4.3.3 聚酰亚胺的电学性能第67-69页
    4.3.4 聚酰亚胺的存储机理第69-72页
  4.4 本章小结第72-73页
第五章 结论与展望第73-75页
  5.1 本文总结第73页
  5.2 展望第73-75页
参考文献第75-85页
攻读硕士学位期间整理及公开发表的论文第85-86页
致谢第86-87页

本篇论文共87页,点击这进入下载页面
 
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