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基于smic 55nm eflash工艺应用于sim卡的ESD研究

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基于smic 55nm eflash工艺应用于sim卡的ESD研究
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 绪论第9-16页
  1.1 ESD简介第9-15页
    1.1.1 ESD的常见模式和工业测试标准第9-12页
    1.1.2 静电放电的测试[6]模式第12-14页
    1.1.3 静电放电测试方式和ESD故障[7]判断第14-15页
  1.2 SIM卡的引脚说明第15页
  1.3 论文的内容安排第15页
  1.4 本章小结第15-16页
第二章 ESD对比实验第16-24页
  2.1 SIM卡ESD设计分析第16-19页
    2.1.1 全芯片ESD设计第16-17页
    2.1.2 传统的SIM卡的ESD保护架构第17-19页
  2.2 SIM卡的ESD设计优化对比试验第19-23页
    2.2.1 优化SIM卡ESD架构第19-20页
    2.2.2 使用GC-NMOS提高ESD保护能力第20页
    2.2.3 使用金属矽化物扩散分隔制程第20-22页
    2.2.4 SIM卡ESD优化设计实验汇总第22-23页
  2.3 本章小结第23-24页
第三章 实验结果与分析第24-36页
  3.1 TLP测试结果与分析第24-35页
    3.1.1 TLP测试简介第24-26页
    3.1.2 IO脚使用GGNMOS第26-29页
    3.1.3 电源和地之间使用改进的RC Clamp第29-30页
    3.1.4 GCNMOS的TLP特性第30-32页
    3.1.5 GGNMOS的漏端覆盖sab层的TLP特性第32-35页
  3.2 本章小结第35-36页
第四章 SIM卡ESD方案第36-41页
  4.1 SIM卡ESD方案的选择第36-38页
  4.2 SIM卡ESD方案的延伸第38-40页
  4.3 本章小结第40-41页
第五章 结束语第41-43页
  5.1 主要工作与创新点第41页
  5.2 后续研究工作第41-42页
  5.3 本章小结第42-43页
参考文献第43-46页
附录1第46-53页
致谢第53-54页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第54-56页

本篇论文共56页,点击这进入下载页面
 
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