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基于smic 55nm eflash工艺应用于sim卡的ESD研究
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基于smic 55nm eflash工艺应用于sim卡的ESD研究
论文目录
摘要
第1-4页
Abstract
第4-9页
第一章 绪论
第9-16页
1.1 ESD简介
第9-15页
1.1.1 ESD的常见模式和工业测试标准
第9-12页
1.1.2 静电放电的测试[6]模式
第12-14页
1.1.3 静电放电测试方式和ESD故障[7]判断
第14-15页
1.2 SIM卡的引脚说明
第15页
1.3 论文的内容安排
第15页
1.4 本章小结
第15-16页
第二章 ESD对比实验
第16-24页
2.1 SIM卡ESD设计分析
第16-19页
2.1.1 全芯片ESD设计
第16-17页
2.1.2 传统的SIM卡的ESD保护架构
第17-19页
2.2 SIM卡的ESD设计优化对比试验
第19-23页
2.2.1 优化SIM卡ESD架构
第19-20页
2.2.2 使用GC-NMOS提高ESD保护能力
第20页
2.2.3 使用金属矽化物扩散分隔制程
第20-22页
2.2.4 SIM卡ESD优化设计实验汇总
第22-23页
2.3 本章小结
第23-24页
第三章 实验结果与分析
第24-36页
3.1 TLP测试结果与分析
第24-35页
3.1.1 TLP测试简介
第24-26页
3.1.2 IO脚使用GGNMOS
第26-29页
3.1.3 电源和地之间使用改进的RC Clamp
第29-30页
3.1.4 GCNMOS的TLP特性
第30-32页
3.1.5 GGNMOS的漏端覆盖sab层的TLP特性
第32-35页
3.2 本章小结
第35-36页
第四章 SIM卡ESD方案
第36-41页
4.1 SIM卡ESD方案的选择
第36-38页
4.2 SIM卡ESD方案的延伸
第38-40页
4.3 本章小结
第40-41页
第五章 结束语
第41-43页
5.1 主要工作与创新点
第41页
5.2 后续研究工作
第41-42页
5.3 本章小结
第42-43页
参考文献
第43-46页
附录1
第46-53页
致谢
第53-54页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文
第54-56页
本篇论文共
56
页,
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。
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