0.13um CMOS逻辑器件的90%微缩及其铝互联的可靠性研究

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0.13um CMOS逻辑器件的90%微缩及其铝互联的可靠性研究

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0.13um CMOS逻辑器件的90%微缩及其铝互联的可靠性研究

论文目录
摘要	第1-7页
ABSTRACT	第7-14页
第一章绪论	第14-22页
1.1 集成电路的发展	第14-16页
1.2 半节点微缩工艺的意义	第16-17页
1.3 超深亚微米的铝线互连的电迁移	第17-22页
1.3.1 铝线互联的工艺步骤和电迁移失效原因	第18-19页
1.3.2 电迁移的失效机理和影响因素	第19-22页
第二章微缩方式及验证实验	第22-40页
2.1 微缩方式	第22-29页
2.1.1 微缩方式的制定	第22-24页
2.1.2 各组件的微缩方式	第24-25页
2.1.3 微缩版图的生成流程	第25-29页
2.2 光刻工艺的裕度验证	第29-39页
2.2.1 微缩后有源区层的光刻裕度验证	第30-34页
2.2.2 微缩后栅极层的光刻裕度验证	第34-37页
2.2.3 前后段连接层的光刻裕度验证	第37-38页
2.2.4 其他层的光刻裕度以及结论	第38-39页
2.3 本章小结	第39-40页
第三章工艺调整实现稳定量产	第40-53页
3.1 微缩后的离子注入调整	第40-42页
3.2 光学近似修正规则的调整	第42-51页
3.2.1 恶化验证实验	第44-48页
3.2.2 OPC修正实验	第48-51页
3.3 本章小结	第51-53页
第四章微缩后铝线电迁移失效的改善	第53-67页
4.1 铝线互联电迁移失效分析	第53-55页
4.2 电迁移改善实验设计	第55-62页
4.2.1 程序优化实验	第56-62页
4.3 分组实验以及结论	第62-65页
4.4 本章小结	第65-67页
第五章结束语	第67-70页
5.1 主要工作与创新点	第67-68页
5.2 后续研究工作	第68-70页
参考文献	第70-72页
致谢	第72-73页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文	第73-74页
上海交通大学硕士学位论文答辩决议书	第74页

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