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Virtuoso IC61平台下0.13微米混合/射频信号工艺设计套件及配套自动化辅助工具的开发与应用

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Virtuoso IC61平台下0.13微米混合/射频信号工艺设计套件及配套自动化辅助工具的开发与应用
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
第一章 引言第14-18页
  1.1 课题的意义及国内外现状分析第14-16页
  1.2 课题研究内容第16-18页
第二章 PDK组件结构及开发流程第18-23页
  2.1 PDK组件结构第18-19页
  2.2 PDK开发平台第19-20页
  2.3 PDK开发流程第20-22页
  2.4 本章小结第22-23页
第三章 VIRTUOSO IC61制程技术文件的开发第23-28页
  3.1 制程技术文件的基本定义第23-25页
  3.2 制程技术文件中约束规则的定义第25-26页
  3.3 SDL技术文件准备第26-27页
  3.4 本章小结第27-28页
第四章 参数化单元的开发第28-53页
  4.1 参数化单元的定义第28-30页
  4.2 MOSFET晶体管Pcell的开发第30-43页
    4.2.1 MOSFET晶体管相关版图设计规则的定义第30页
    4.2.2 MOSFET晶体管CDF参数定义第30-34页
    4.2.3 参数化定制MOSFET晶体管实现版图结构多样化第34-37页
    4.2.4 利用相对图形演算法实现MOSFET晶体管的参数化版图定制第37-39页
    4.2.5 0.13μm工艺下LOD与WPE效应在Pcell中的实现方式第39-43页
  4.3 射频电感Pcell的开发第43-49页
    4.3.1 射频电感CDF参数定义第43-44页
    4.3.2 利用子单元复用设计实现射频电感的参数化版图定制第44-48页
    4.3.3 电感桥接版图的优化算法第48-49页
  4.4 电阻Pcell的开发第49-52页
    4.4.1 多晶硅电阻CDF参数定义第49-50页
    4.4.2 多晶硅电阻Pcell的参数化版图定制第50-52页
  4.5 本章小结第52-53页
第五章 一种新的PCELL开发方式第53-69页
  5.1 传统的金属电容的设计方法第53-54页
  5.2 新的金属电容Pcell开发方式第54-55页
  5.3 插指型金属电容Pcell的技术实现指标第55-56页
  5.4 编译LEF/DEF文件实现对金属电容的版图数据创建第56-60页
  5.5 调用第三方EDA工具抽取金属电容第60-62页
  5.6 金属电容值的反馈第62-63页
  5.7 利用SKILL语言实现金属电容计算的自动化第63-68页
  5.8 验证方法的正确性第68页
  5.9 本章小结第68-69页
第六章 PDK配套自动化辅助工具的开发第69-87页
  6.1 基于PDK打造电路设计的自动化应用平台第69-71页
  6.2 PDK自动化配置程序第71-75页
  6.3 SKILL程序的图形化处理第75-76页
  6.4 器件模型配置图形界面的开发第76-79页
  6.5 基于SKILL程序开发的DRC/LVS/PEX图形交互界面第79-86页
    6.5.1 验证文件中开关的图形化处理第80-84页
    6.5.2 其它常规物理验证配置功能第84-86页
  6.6 本章小结第86-87页
第七章 结束语第87-90页
  7.1 主要工作与创新点第87-89页
  7.2 后续研究工作第89-90页
参考文献第90-92页
致谢第92-93页
攻读硕士学位期间已发表的论文第93页

本篇论文共93页,点击这进入下载页面
 
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