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基于CMOS 65nm工艺的毫米波频率选择负阻增强振荡器电路的研究

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基于CMOS 65nm工艺的毫米波频率选择负阻增强振荡器电路的研究
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-14页
  1.1 研究背景第8-9页
  1.2 毫米波技术的应用领域第9-10页
    1.2.1 国防军事领域第9-10页
    1.2.2 民用产业化领域第10页
  1.3 毫米波信号产生技术的发展史、研究现状以及研究热点第10-12页
  1.4 论文结构安排第12-14页
第二章 振荡器相关理论知识介绍第14-36页
  2.1 振荡器相关基础第14-22页
    2.1.1 CMOS振荡器第14页
    2.1.2 振荡器的基本工作原理第14-16页
    2.1.3 振荡器分类第16-19页
    2.1.4 单端能量负阻补偿模型第19-22页
  2.2 相位噪声第22-30页
    2.2.1 相位噪声的概念第22-24页
    2.2.2 线性时不变系统分析第24-26页
    2.2.3 非线性时不变系统分析第26-27页
    2.2.4 线性时变系统分析第27-30页
  2.3 毫米波电路阻抗匹配的重要性及方法介绍第30-32页
    2.3.1 信号源阻抗匹配第31页
    2.3.2 共轭匹配第31页
    2.3.3 负载阻抗匹配第31-32页
  2.4 最大振荡频率与特征频率第32-36页
第三章 毫米波频率选择负阻增强振荡器设计第36-63页
  3.1 CMOS毫米波振荡器的频率提升机制第36-39页
    3.1.1 Push-Push结构第36-37页
    3.1.2 线性叠加振荡器原理第37-39页
  3.2 频率选择负阻增强结构(FSNR)振荡器第39-45页
    3.2.1 频率选择负阻增强结构第39-42页
    3.2.2 带有FSNR结构的CMOS毫米波振荡器第42-44页
    3.2.3 设计要素第44-45页
  3.3 TSMC65nm工艺下的仿真结果及分析第45-63页
    3.3.1 仿真验证FSNR振荡器性能第46-50页
    3.3.2 不同类型MOSFET对FSNR振荡器性能的影响第50-52页
    3.3.3 不同类型电感对FSNR振荡器性能的影响第52-58页
    3.3.4 电源电压对FSNR振荡器谐性能的影响第58-61页
    3.3.5 仿真结果总结及分析第61-63页
第四章 版图绘制与后仿真第63-67页
  4.1 版图的设计与优化第63-65页
  4.2 电路后仿真结果与分析第65-67页
第五章 总结与展望第67-68页
参考文献第68-71页
发表论文和参加科研情况说明第71-72页
致谢第72-73页

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