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CMOS图像传感器的失效分析及工艺改进

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CMOS图像传感器的失效分析及工艺改进
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 引言第7-15页
  1.1 集成电路产业的发展现状第7-9页
  1.2 图像传感器的发展与应用第9-10页
  1.3 CCD和CMOS图像传感器的对比第10-12页
  1.4 CMOS图像传感器的前景第12-15页
第二章 CMOS图像传感器工作原理与工艺特点第15-23页
  2.1 CMOS图像传感器的工作原理第16-18页
  2.2 CMOS图像传感器的关键性能参数第18-20页
  2.3 CMOS图像传感器的工艺特点第20-23页
第三章 集成电路先进失效分析手段第23-51页
  3.1 光学显微镜(OM)第23-28页
  3.2 扫描电子显微镜(SEM)第28-32页
  3.3 透射电子显微镜(TEM)第32-34页
  3.4 聚焦离子束显微镜(FIB)第34-39页
  3.5 光束诱导电阻变化(OBIRCH)第39-40页
  3.6 二次离子质谱(SIMS)第40-43页
  3.7 俄歇电子能谱(AES)第43-46页
  3.8 能谱仪(EDS)第46-47页
  3.9 反应离子刻蚀(RIE)第47-49页
  3.10 失效分析流程简介第49-51页
第四章 CMOS图像传感器的失效分析第51-55页
  4.1 列失效(Dead Column, Bin16)第51-52页
  4.2 行失效(Dead Row, Bin 15)第52-53页
  4.3 像素失效(Pixel Fail, Bin 14 and pass Bin)第53页
  4.4 I2C失效(I2C, Bin 11)第53-55页
第五章 CMOS图像传感器集成电路的工艺优化第55-62页
  5.1 针对I2C失效的的工艺优化第55-57页
  5.2 针对像素失效的工艺优化第57-58页
  5.3 针对图像品质的工艺优化第58-62页
第六章 结束语第62-63页
参考文献第63-65页
致谢第65-66页

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