65nm NOR型闪存芯片RTS噪声研究—硕士毕业论文下载

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65nm NOR型闪存芯片RTS噪声研究

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65nm NOR型闪存芯片RTS噪声研究

论文目录
摘要	第1-5页
abstract	第5-8页
1 绪论	第8-20页
1.1 引言	第8-12页
1.2 闪存存储器简介与基本分类	第12-16页
1.3 闪存存储器的技术发展与展望	第16-18页
1.4 本论文主要内容和论文结构	第18-20页
2 闪存工作原理与性能	第20-35页
2.1 闪存存储器的结构和原理	第20-24页
2.1.1 闪存单元的存储结构	第20-22页
2.1.2 浮栅型晶体管的基本工作原理	第22-23页
2.1.3 浮栅存储器的应用	第23-24页
2.2 闪存单元的基本工作模式	第24-32页
2.2.1 闪存单元的编程	第24-27页
2.2.2 闪存单元的擦除	第27-31页
2.2.3 闪存单元的软编程	第31-32页
2.2.4 闪存单元的读操作	第32页
2.3 闪存芯片可靠性的关键指标	第32-34页
2.4 本章小结	第34-35页
3 65nm NOR型闪存随机电报噪声研究	第35-53页
3.1 闪存低频噪声的研究意义	第35-36页
3.2 半导体器件中的低频噪声	第36-41页
3.2.1 低频噪声的物理起因	第36-37页
3.2.2 低频噪声--1/f噪声	第37-40页
3.2.3 低频噪声--RTS噪声	第40-41页
3.3 低频噪声的测量和参数获取	第41-45页
3.4 基于RTS噪声的缺陷分布计算	第45-48页
3.5 阈值电压对RTS噪声的影响	第48-51页
3.5.1 俘获/发射时间对阈值电压的依存性	第48-50页
3.5.2 基于俘获/发射截面的物理模型	第50-51页
3.6 本章小结	第51-53页
4 结论	第53-54页
4.1 论文的主要结论与创新点	第53页
4.2 对未来研究工作的展望	第53-54页
参考文献	第54-58页
个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果	第58-59页
致谢	第59页

本篇论文共59页，点击这进入下载页面。

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