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氮氧锌薄膜的制备及其光电特性的研究

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氮氧锌薄膜的制备及其光电特性的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-21页
  1.1 引言第11页
  1.2 几种典型氧化物薄膜材料的介绍第11-15页
    1.2.1 透明导电氧化物薄膜材料第12-13页
    1.2.2 磁性氧化物薄膜材料第13-14页
    1.2.3 超导氧化物薄膜材料第14页
    1.2.4 光电氧化物薄膜材料第14-15页
    1.2.5 介电氧化物薄膜材料第15页
  1.3 ZnO薄膜的特性与应用第15-17页
    1.3.1 ZnO的结构与特性第15-16页
    1.3.2 ZnO的应用第16-17页
  1.4 ZnON薄膜的特性第17-19页
  1.5 ZnON薄膜研究现状第19页
  1.6 本论文的主要研究内容第19-21页
第二章 氮氧锌薄膜的制备及其性能表征第21-39页
  2.1 氮氧锌薄膜制备方法简介第21-24页
    2.1.1 磁控溅射镀膜的原理第21-22页
    2.1.2 磁控溅射镀膜的优点第22页
    2.1.3 磁控溅射镀膜的分类第22-23页
    2.1.4 影响磁控溅射镀膜的主要参数第23-24页
  2.2 ZnON薄膜的制备第24-27页
    2.2.1 总体制备流程第24页
    2.2.2 主要仪器及用途第24-25页
    2.2.3 基片的清洗第25页
    2.2.4 ZnON薄膜制备流程第25-27页
  2.3 薄膜性能的表征方法第27-29页
    2.3.1 紫外-可见分光光度仪第27-28页
    2.3.2 四探针测试仪第28-29页
    2.3.3 干涉台阶测试仪第29页
  2.4 ZnON薄膜的光学性能第29-36页
    2.4.1 氧氮比对ZnON薄膜光学性能的影响第29-32页
    2.4.2 溅射功率对ZnON薄膜光学性能的影响第32-34页
    2.4.3 靶基距对ZnON薄膜光学性能的影响第34-36页
  2.5 ZnON薄膜的方阻第36-37页
  2.6 ZnON薄膜的表面形貌第37-38页
  2.7 本章小结第38-39页
第三章 薄膜晶体管理论基础第39-51页
  3.1 引言第39页
  3.2 薄膜晶体管的基本结构第39-41页
  3.3 薄膜晶体管的工作原理第41-42页
  3.4 薄膜晶体管的分类第42-45页
    3.4.1 非晶硅TFT第42页
    3.4.2 多晶硅TFT第42-43页
    3.4.3 微晶硅TFT第43页
    3.4.4 氧化物TFT第43-44页
    3.4.5 有机TFT第44-45页
  3.5 薄膜晶体管制备相关工艺第45-48页
    3.5.1 光刻第45-46页
    3.5.2 刻蚀第46-48页
  3.6 薄膜晶体管主要特性参数第48-50页
    3.6.1 载流子迁移率第48-49页
    3.6.2 阈值电压第49页
    3.6.3 亚阈值摆幅第49页
    3.6.4 开关比第49-50页
  3.7 本章小结第50-51页
第四章 氮氧锌基薄膜晶体管第51-65页
  4.1 ZnON-TFT的制备第51-55页
    4.1.1 ZnON-TFT的结构第51页
    4.1.2 ZnON-TFT制备工艺流程第51-52页
    4.1.3 主要仪器及用途第52页
    4.1.4 Si基片的清洗第52-53页
    4.1.5 有源层ZnON薄膜的制备第53页
    4.1.6 源漏电极Mo的制备第53-54页
    4.1.7 源漏电极Mo的光刻与刻蚀第54-55页
  4.2 ZnON-TFT电学性能测试第55-57页
    4.2.1 测试系统第55-56页
    4.2.2 测试步骤第56-57页
  4.3 结果与分析第57-64页
    4.3.1 不同氧氮比对ZnON-TFT电学性能的影响第57-60页
    4.3.2 不同溅射功率对ZnON-TFT电学性能的影响第60-62页
    4.3.3 不同靶基距对ZnON-TFT电学性能的影响第62-64页
  4.4 本章小结第64-65页
第五章 总结与展望第65-67页
  5.1 全文总结第65页
  5.2 展望计划第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-72页
攻读硕士学位期间取得的成果第72页

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