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基于0.6μm CMOS工艺的ESD保护器件研究

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基于0.6μm CMOS工艺的ESD保护器件研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-14页
  1.1 研究背景及意义第10-11页
  1.2 国内外研究现状和发展态势第11-12页
  1.3 论文的主要内容第12-13页
  1.4 论文的结构安排第13-14页
第二章 ESD防护理论基础第14-24页
  2.1 ESD防护基本原理第14页
  2.2 ESD物理模型第14-19页
    2.2.1 人体模型HBM第14-16页
    2.2.2 机器模型MM第16-17页
    2.2.3 组件充电模型CDM第17-18页
    2.2.4 TLP测试模型第18-19页
  2.3 ESD测试组合第19-21页
    2.3.1 I/O到VDD(VSS)的静电测试第19页
    2.3.2 I/O到I/O之间的静电测试第19-20页
    2.3.3 电源到地之间的静电测试第20-21页
  2.4 ESD导致的失效类型第21-23页
  2.5 ESD设计窗口第23页
  2.6 本章小结第23-24页
第三章 CMOS工艺下常规ESD防护器件及原理第24-33页
  3.1 二极管第24-26页
  3.2 电阻第26-27页
  3.3 MOSFET第27-28页
  3.4 SCR第28-32页
    3.4.1 降低SCR触发电压第30-31页
    3.4.2 提高SCR维持电压第31-32页
  3.5 本章小结第32-33页
第四章 0.6μm CMOS工艺下的ESD保护器件研究第33-53页
  4.1 0.6μm CMOS工艺下MOSFET的ESD特性第33-39页
    4.1.1 RCMOS第33-35页
    4.1.2 GGNMOS与GDPMOS第35-39页
  4.2 0.6μm CMOS工艺下SCR的设计与优化第39-52页
    4.2.1 常规SCR ESD特性研究第39-40页
    4.2.2 MLSCR ESD特性研究第40-41页
    4.2.3 改进型MLSCR ESD特性研究第41-44页
    4.2.4 LVTSCR ESD特性研究第44-45页
    4.2.5 STSCR ESD特性研究第45-47页
    4.2.6 创新型GCSCR设计第47-52页
  4.3 本章小结第52-53页
第五章 瞬态电压抑制器(TVS)的研究第53-64页
  5.1 TVS介绍第53-54页
  5.2 TVS及其阵列研究第54-57页
    5.2.1 TVS阵列介绍第55-56页
    5.2.2 TVS特性介绍第56-57页
  5.3 TVS设计第57-63页
    5.3.1 DTSCR1第58-60页
    5.3.2 DTSCR2第60-61页
    5.3.3 SNTSCR第61-63页
  5.4 本章小结第63-64页
第六章 总结与展望第64-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-69页
攻读硕士学位期间取得的成果第69-70页

本篇论文共70页,点击这进入下载页面
 
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