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氧化钒薄膜的制备及其太赫兹波段相变性能的研究
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氧化钒薄膜的制备及其太赫兹波段相变性能的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-17页
　　1.1 研究背景第10-13页
　　　　1.1.1 氧化钒的结构、性能及应用第10-12页
　　　　1.1.2 太赫兹波第12-13页
　　1.2 氧化钒薄膜在太赫兹波段的国内外研究现状第13-16页
　　1.3 论文选题意义以及主要内容第16-17页
第二章 氧化钒薄膜的制备和表征第17-23页
　　2.1 氧化钒薄膜的制备第17-18页
　　　　2.1.1 基片清洗第17页
　　　　2.1.2 氧化钒薄膜的制备方法第17-18页
　　2.2 薄膜的形成和生长第18-20页
　　2.3 氧化钒薄膜的表征第20-22页
　　　　2.3.1 X射线衍射仪第20页
　　　　2.3.2 X射线光电子能谱仪第20-21页
　　　　2.3.3 扫描电子显微镜第21页
　　　　2.3.4 傅里叶变换红外光谱分析仪第21-22页
　　　　2.3.5 四探针测试仪第22页
　　2.4 小结第22-23页
第三章 相变氧化钒薄膜的制备及太赫兹调制深度的探究第23-45页
　　3.1 引言第23页
　　3.2 工艺参数对氧化钒薄膜相变性能的影响第23-33页
　　　　3.2.1 反应氧流量对氧化钒薄膜性能的影响第23-29页
　　　　　　3.2.1.1 薄膜的制备第23-24页
　　　　　　3.2.1.2 反应氧流量对薄膜电学性能的影响第24-26页
　　　　　　3.2.1.3 反应氧流量对薄膜光学性能的影响第26-29页
　　　　3.2.2 溅射电流对氧化钒薄膜性能的影响第29-33页
　　　　　　3.2.2.1 薄膜的制备第29页
　　　　　　3.2.2.2 溅射电流对薄膜电学性能的影响第29-31页
　　　　　　3.2.2.3 溅射电流对薄膜光学性能的影响第31-33页
　　3.3 靶表面状态对氧化钒薄膜太赫兹调制深度的影响第33-44页
　　　　3.3.1 薄膜的制备第35-36页
　　　　3.3.2 样品S1、S2及S3的XRD分析第36-37页
　　　　3.3.3 样品S1、S2及S3的XPS分析第37-39页
　　　　3.3.4 样品S1、S2及S3的SEM分析第39-40页
　　　　3.3.5 样品S1、S2及S3的电学性能分析第40-42页
　　　　3.3.6 样品S1、S2及S3的光学性能分析第42-44页
　　3.4 小结第44-45页
第四章 掺杂（Mo/W）氧化钒的制备及太赫兹调制性能研究第45-61页
　　4.1 引言第45页
　　4.2 掺Mo对氧化钒薄膜性能的影响第45-50页
　　　　4.2.1 掺Mo氧化钒薄膜的制备第45-47页
　　　　4.2.2 掺Mo氧化钒薄膜的电学MIT性能第47-48页
　　　　4.2.3 掺Mo氧化钒薄膜的光学MIT性能第48-50页
　　4.3 掺W对氧化钒薄膜的MIT性能的影响第50-59页
　　　　4.3.1 掺W氧化钒薄膜的制备第50-51页
　　　　4.3.2 掺W氧化钒薄膜的电学MIT性能第51-52页
　　　　4.3.3 掺W氧化钒薄膜的光学MIT性能第52-54页
　　　　4.3.4 样品S1、S3的XRD分析第54-56页
　　　　4.3.5 样品S1、S3的XPS分析第56-58页
　　　　4.3.6 样品S1、S3的SEM分析第58-59页
　　4.4 掺杂（Mo/W）对氧化钒性能影响的异同第59页
　　4.5 小结第59-61页
第五章 总结与展望第61-63页
　　5.1 总结第61页
　　5.2 展望第61-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-70页
攻读硕士期间取得的研究成果第70-71页

本篇论文共71页，点击这进入下载页面。
 
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