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大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控制备及其光学性质研究

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大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控制备及其光学性质研究
论文目录
 
中文摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 绪论第9-30页
  1.1 引言第9-10页
  1.2 过渡金属硫族化合物简介第10-14页
  1.3 TMDCs材料载流子传输与散射机理第14-16页
  1.4 WSe_2的结构第16-18页
  1.5 二维TMDCs材料的制备方法第18-24页
1.5.1“自上而下”剥离制备方法第18-21页
1.5.2“自下而上”合成制备方法第21-24页
  1.6 二维TMDCs材料的应用第24-28页
  1.7 选题背景及主要研究内容第28-30页
第二章 实验材料设备及表征技术第30-37页
  2.1 实验材料设备第30-32页
    2.1.1 实验材料第30页
    2.1.2 实验设备第30-31页
    2.1.3 CVD生长设备第31-32页
  2.2 二维TMDCs材料表征技术第32-37页
    2.2.1 光学显微镜第33-34页
    2.2.2 拉曼光谱第34-35页
    2.2.3 扫描电子显微镜第35页
    2.2.4 原子力显微镜第35页
    2.2.5 光致发光谱第35-37页
第三章 WSe_2薄膜CVD法制备及生长调控第37-45页
  3.1 本章引论第37页
  3.2 化学沉积法原理介绍第37-38页
  3.3 实验部分第38-39页
    3.3.1 衬底的处理第39页
    3.3.2 实验流程第39页
  3.4 WSe_2薄膜的生长调控与生长机理研究第39-43页
    3.4.1 前驱物钨源与衬底之间距离的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响第40-41页
    3.4.2 温度的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响第41-42页
    3.4.3 前驱物钨源量的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响第42-43页
  3.5 本章小结第43-45页
第四章 WSe_2薄膜的表征分析与光学性质的研究第45-54页
  4.1 本章引论第45页
  4.2 单层WSe_2薄膜的表征分析第45-49页
    4.2.1 单层WSe_2薄膜的光学显微镜表征第45-46页
    4.2.2 单层WSe_2薄膜的扫描电子显微镜表征第46-47页
    4.2.3 单层WSe_2的原子力显微镜表征第47-48页
    4.2.4 单层WSe_2的拉曼光谱表征第48-49页
  4.3 不同层数的WSe_2薄膜发光性质研究第49-52页
    4.3.1 不同层数的WSe_2薄膜拉曼光谱第50-51页
    4.3.2 不同层数的WSe_2薄膜光致发光谱第51-52页
  4.4 本章小结第52-54页
第五章 结论与展望第54-56页
  5.1 主要结论第54-55页
  5.2 研究展望第55-56页
参考文献第56-60页
在学期间的研究成果第60-61页
致谢第61页

本篇论文共61页,点击这进入下载页面
 
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