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大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控制备及其光学性质研究
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大尺寸二硒化钨薄膜的CVD法可控制备及其光学性质研究
论文目录
中文摘要
第1-4页
Abstract
第4-9页
第一章 绪论
第9-30页
1.1 引言
第9-10页
1.2 过渡金属硫族化合物简介
第10-14页
1.3 TMDCs材料载流子传输与散射机理
第14-16页
1.4 WSe_2的结构
第16-18页
1.5 二维TMDCs材料的制备方法
第18-24页
1.5.1“自上而下”剥离制备方法
第18-21页
1.5.2“自下而上”合成制备方法
第21-24页
1.6 二维TMDCs材料的应用
第24-28页
1.7 选题背景及主要研究内容
第28-30页
第二章 实验材料设备及表征技术
第30-37页
2.1 实验材料设备
第30-32页
2.1.1 实验材料
第30页
2.1.2 实验设备
第30-31页
2.1.3 CVD生长设备
第31-32页
2.2 二维TMDCs材料表征技术
第32-37页
2.2.1 光学显微镜
第33-34页
2.2.2 拉曼光谱
第34-35页
2.2.3 扫描电子显微镜
第35页
2.2.4 原子力显微镜
第35页
2.2.5 光致发光谱
第35-37页
第三章 WSe_2薄膜CVD法制备及生长调控
第37-45页
3.1 本章引论
第37页
3.2 化学沉积法原理介绍
第37-38页
3.3 实验部分
第38-39页
3.3.1 衬底的处理
第39页
3.3.2 实验流程
第39页
3.4 WSe_2薄膜的生长调控与生长机理研究
第39-43页
3.4.1 前驱物钨源与衬底之间距离的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响
第40-41页
3.4.2 温度的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响
第41-42页
3.4.3 前驱物钨源量的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响
第42-43页
3.5 本章小结
第43-45页
第四章 WSe_2薄膜的表征分析与光学性质的研究
第45-54页
4.1 本章引论
第45页
4.2 单层WSe_2薄膜的表征分析
第45-49页
4.2.1 单层WSe_2薄膜的光学显微镜表征
第45-46页
4.2.2 单层WSe_2薄膜的扫描电子显微镜表征
第46-47页
4.2.3 单层WSe_2的原子力显微镜表征
第47-48页
4.2.4 单层WSe_2的拉曼光谱表征
第48-49页
4.3 不同层数的WSe_2薄膜发光性质研究
第49-52页
4.3.1 不同层数的WSe_2薄膜拉曼光谱
第50-51页
4.3.2 不同层数的WSe_2薄膜光致发光谱
第51-52页
4.4 本章小结
第52-54页
第五章 结论与展望
第54-56页
5.1 主要结论
第54-55页
5.2 研究展望
第55-56页
参考文献
第56-60页
在学期间的研究成果
第60-61页
致谢
第61页
本篇论文共
61
页,
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。
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