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Weyl半金属超导异质结中的电子输运性质

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Weyl半金属超导异质结中的电子输运性质
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-13页
参考文献第12-13页
第二章 Weyl semimetal简介第13-20页
  2.1 拓扑绝缘体第13页
  2.2 拓扑半金属第13-17页
    2.2.1 Dirac半金属第14-15页
    2.2.2 Weyl半金属第15-16页
    2.2.3 node-line半金属第16-17页
  2.3 Weyl半金属的相关拓扑性第17-19页
    2.3.1 Weyl点受拓扑保护稳定性第17页
    2.3.2 拓扑表面态的费米弧第17-18页
    2.3.3 手征奇异性——负磁阻效应第18-19页
参考文献第19-20页
第三章 BTK理论第20-26页
  3.1 BCS配对态第20页
  3.2 FFLO配对态第20-21页
  3.3 BdG方程第21-22页
  3.4 Andreev反射(局域Andreev反射)第22-23页
  3.5 非局域Andreev反射第23-24页
  3.6 BTK理论第24-25页
参考文献第25-26页
第四章 具有BCS配对态的Weyl半金属异质结的研究第26-45页
  4.1 研究背景第26-27页
  4.2 理论模型及推导第27-32页
  4.3 Weyl点1情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声第32-36页
    4.3.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声第32-33页
    4.3.2 其它不同角度α下的散射过程发生的几率第33-34页
    4.3.3 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率第34-35页
    4.3.4 电导随偏置电压eV的变化第35-36页
    4.3.5 噪声随偏置电压eV的变化第36页
  4.4 Weyl点2情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声第36-41页
    4.4.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声第36-37页
    4.4.2 其它不同角度α下的散射过程发生的几率第37-38页
    4.4.3 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率第38-39页
    4.4.4 电导随偏置电压eV的变化第39-40页
    4.4.5 噪声随偏置电压eV的变化第40-41页
  4.5 总电导及总噪声特点第41-42页
  4.6 本章小结第42-44页
参考文献第44-45页
第五章 具有FFLO配对态的Weyl半金属异质结的研究第45-58页
  5.1 研究背景第45页
  5.2 理论模型与公式第45-48页
  5.3 Weyl点1情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声第48-52页
    5.3.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声第48-49页
    5.3.2 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率第49-50页
    5.3.3 在不同α角度下的散射过程发生的几率第50页
    5.3.4 电导随偏置电压eV的变化第50-51页
    5.3.5 噪声随偏置电压eV的变化第51-52页
  5.4 Weyl点2情形下电子散射过程发生的几率、电导以及噪声第52-55页
    5.4.1 垂直入射情况下的散射过程发生几率、电导和噪声第52页
    5.4.2 其它不同角度θ下的散射过程发生的几率第52-53页
    5.4.3 电导随偏置电压eV的变化第53-54页
    5.4.4 噪声随偏置电压eV的变化第54-55页
  5.5 总的电导以及噪声的特点第55-56页
  5.6 本章小结第56-57页
参考文献第57-58页
第六章 总结与展望第58-60页
附录第60-69页
致谢第69页

本篇论文共69页,点击这进入下载页面
 
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