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Ⅵ族元素掺杂黑硅材料及其性能的研究
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Ⅵ族元素掺杂黑硅材料及其性能的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-20页
　　1.1 黑硅的简介第10页
　　1.2 黑硅的研究现状第10-18页
　　1.3 黑硅的应用第18-19页
　　1.4 本文的研究内容和意义第19-20页
第二章 实验原理及方法第20-30页
　　2.1 黑硅的制备方法第20-22页
　　　　2.1.1 湿法化学刻蚀法制备黑硅第20-21页
　　　　2.1.2 反应离子刻蚀制备黑硅第21页
　　　　2.1.3 飞秒激光刻蚀制备黑硅第21-22页
　　2.2 飞秒激光的刻蚀原理第22-25页
　　　　2.2.1 飞秒激光与固体相互作用第22-23页
　　　　2.2.2 飞秒激光与硅相互作用第23-25页
　　2.3 测试设备及原理介绍第25-29页
　　　　2.3.1 积分球光谱测试原理第25-26页
　　　　2.3.2 光敏特性测试系统第26-27页
　　　　2.3.3 扫描电子显微镜测试原理第27页
　　　　2.3.4 霍尔效应测试原理第27-29页
　　2.4 小结第29-30页
第三章 VI族元素掺杂黑硅的制备及退火条件第30-43页
　　3.1 VI族元素掺杂膜层的制备第30-32页
　　　　3.1.1 衬底材料的选择及清洁第30-31页
　　　　3.1.2 杂质膜层的蒸镀工艺第31-32页
　　3.2 飞秒激光刻蚀黑硅工艺第32-36页
　　　　3.2.1 飞秒激光光路搭建第32-33页
　　　　3.2.2 刻蚀条件及方法第33-36页
　　3.3 退火条件的选择第36-39页
　　　　3.3.1 退火温度的选择第36-38页
　　　　3.3.2 退火时间的选择第38-39页
　　　　3.3.3 退火气氛的选择第39页
　　3.4 电极的制备第39-41页
　　　　3.4.1 金半接触原理及电极材料的选择第39-41页
　　　　3.4.2 电极的制备第41页
　　3.5 小结第41-43页
第四章 掺杂黑硅光学性能的研究第43-54页
　　4.1 样品的制备第43-44页
　　4.2 退火条件第44页
　　4.3 掺杂黑硅的形貌表征第44-48页
　　　　4.3.1 Se掺杂黑硅的表面形貌第45-46页
　　　　4.3.2 Te掺杂黑硅的表面形貌第46-47页
　　　　4.3.3 规律及讨论第47-48页
　　4.4 光吸收率的研究第48-52页
　　　　4.4.1 Se掺杂黑硅的光吸收率第49-50页
　　　　4.4.2 Te掺杂黑硅的光吸收率第50-51页
　　　　4.4.3 规律及讨论第51-52页
　　4.5 小结第52-54页
第五章 掺杂黑硅电学性能的研究第54-67页
　　5.1 电学性能测试的样品准备第54-55页
　　5.2 n~+-n结的原理及特性第55-56页
　　5.3 霍尔效应测试第56-60页
　　　　5.3.1 Se掺杂黑硅的霍尔效应测试第57-58页
　　　　5.3.2 Te掺杂黑硅的霍尔效应测试第58-59页
　　　　5.3.3 规律及讨论第59-60页
　　5.4 光敏特性的研究第60-65页
　　　　5.4.1 Se掺杂黑硅的光敏特性第60-62页
　　　　5.4.2 Te掺杂黑硅的光敏特性第62-64页
　　　　5.4.3 规律及讨论第64-65页
　　5.5 小结第65-67页
第六章 总结与展望第67-70页
　　6.1 总结第67-68页
　　6.2 展望第68-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-75页
攻读硕士学位期间取得的成果第75-76页

本篇论文共76页，点击这进入下载页面。
 
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