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基于GaN纳米材料的自供能光电化学型紫外探测器

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基于GaN纳米材料的自供能光电化学型紫外探测器
论文目录
 
中文摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 绪论第10-32页
  1.1 GaN材料发展历史及其研究意义第10-11页
  1.2 GaN的基本性质第11-13页
  1.3 常见的GaN基紫外探测器结构第13-18页
    1.3.1 光导型探测器第14-15页
    1.3.2 GaN基MSM结构的紫外光探测器第15-16页
    1.3.3 pn结和PIN结构探测器第16-17页
    1.3.4 肖特基结构的探测器第17-18页
    1.3.5 紫外探测器的性能参数第18页
  1.4 光电化学型自供能紫外探测器第18-22页
  1.5 本论文研究内容第22-24页
参考文献第24-32页
第二章 材料制备和表征方法第32-43页
  2.1 纳米材料的制备第32-36页
    2.1.1 氨化还原法第32-33页
    2.1.2 静电纺丝法第33-34页
    2.1.3 水热法第34-35页
    2.1.4 旋涂法(spin-coating technique)第35页
    2.1.5 滴涂干燥法(drop-drying)第35-36页
  2.2 材料的表征第36-38页
    2.2.1 扫描电子显微技术(SEM)第36页
    2.2.2 透射电子显微镜(TEM)第36页
    2.2.3 X射线衍射(XRD)第36-37页
    2.2.4 Raman能谱技术第37页
    2.2.5 X射线光电子能谱分析(XPS)第37-38页
  2.3 光电化学型自供能紫外探测器的封装与测试第38-41页
    2.3.1 器件的封装第38页
    2.3.2 光电化学性能测试与分析手段第38-41页
参考文献第41-43页
第三章 基于GaN纳米多孔薄膜光电化学紫外探测器第43-57页
  3.1 引言第43页
  3.2 GaN纳米颗粒的制备及GaN纳米多孔薄膜光阳极结构第43-46页
  3.3 GaN纳米多孔薄膜基光电化学紫外探测器第46-49页
  3.4 TiO_2改性GaN纳米多孔薄膜基光电化学紫外探测器第49-54页
  3.5 本章小结第54-55页
参考文献第55-57页
第四章 基于GaN纳米线的光电化学紫外探测器第57-70页
  4.1 引言第57-58页
  4.2 静电纺丝制备氮化镓纳米线第58-64页
  4.3 基于GaN纳米线网络光电化学型紫外探测器第64-67页
  4.4 本章小结第67-68页
参考文献第68-70页
第五章 基于GaN纳米棒的光电化学紫外探测器第70-79页
  5.1 引言第70页
  5.2 水热合成GaN NRs及其形貌表征第70-73页
  5.3 基于GaN NRs光电化学型紫外探测器第73-77页
  5.4 总结第77-78页
参考文献第78-79页
第六章 总结与展望第79-81页
  6.1 总结第79-80页
  6.2 展望第80-81页
在学期间研究成果第81-82页
致谢第82页

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