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三维集成系统中的互连建模及其传输特性研究

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三维集成系统中的互连建模及其传输特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第9-13页
  1.1 选题背景及研究意义第9-10页
  1.2 国内外研究现状综述第10-12页
  1.3 主要工作和内容安排第12-13页
第2章 硅通孔MOS电容模型基础理论第13-28页
  2.1 硅通孔互连技术第13-15页
    2.1.1 圆柱形硅通孔第14页
    2.1.2 圆环形硅通孔第14页
    2.1.3 同轴形硅通孔第14-15页
    2.1.4 锥形硅通孔第15页
  2.2 TSV寄生电容参数理论研究第15-19页
    2.2.1 寄生电容特性第16-17页
    2.2.2 TSV寄生电容模型第17-19页
  2.3 硅通孔互连通道传输特性基础理论第19-26页
    2.3.1 S参数矩阵第19-22页
    2.3.2 传输线上的反射第22-24页
    2.3.3 传输线的损耗第24-25页
    2.3.4 传输线间的串扰第25-26页
  2.4 本章小结第26-28页
第3章 考虑电荷精确分布的锥形硅通孔MOS电容建模第28-38页
  3.1 考虑电荷精确分布的MOS电容计算第28-33页
    3.1.1 耗尽层电荷分布第28-31页
    3.1.2 耗尽电容计算第31-33页
  3.2 考虑电荷精确分布的T-TSVMOS电容解析模型第33-36页
  3.3 T-TSVMOS电容解析模型验证第36-37页
  3.4 本章小结第37-38页
第4章 锥形硅通孔对互连通道传输特征研究第38-52页
  4.1 锥形硅通孔对RLGC模型第38-42页
  4.2 T-TSV对RLGC模型验证第42-48页
    4.2.1 T-TSV对传输线模型S参数计算第42-44页
    4.2.2 理论验证与S参数仿真第44-48页
  4.3 T-TSV对信号传输性能的应用第48-51页
  4.4 本章小结第51-52页
第5章 总结与展望第52-54页
  5.1 本文工作总结第52-53页
  5.2 进一步的研究工作第53-54页
参考文献第54-58页
攻读硕士学位期间发表的论文第58-59页
致谢第59页

本篇论文共59页,点击这进入下载页面
 
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