热电应力下倒装芯片中铜柱凸点互连的可靠性研究

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热电应力下倒装芯片中铜柱凸点互连的可靠性研究

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热电应力下倒装芯片中铜柱凸点互连的可靠性研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章绪论	第10-15页
1.1 倒装铜柱凸点互连简介	第10-11页
1.2 国内外研究状况	第11-14页
1.2.1 铜柱凸点技术发展现状	第11-12页
1.2.2 铜柱凸点技术存在的问题	第12-14页
1.3 研究内容及框架	第14-15页
第二章铜柱凸点温度和电流应力响应分析	第15-26页
2.1 红外热成像测试	第15-17页
2.1.1 试验样品和制备	第15-17页
2.1.2 红外热成像实验	第17页
2.2 ANSYS可靠性仿真	第17-19页
2.2.1 仿真模型的建立	第18页
2.2.2 边界条件的加载及求解	第18-19页
2.3 模拟计算结果与分析	第19-25页
2.3.1 铜柱凸点的热分布	第19-22页
2.3.2 铜柱凸点的等效应力分布	第22-23页
2.3.3 铜柱凸点的电场分布	第23-25页
2.4 本章小结	第25-26页
第三章界面金属化合物生长的研究	第26-37页
3.1 引言	第26-27页
3.2 IMC层厚度生长模型	第27-33页
3.2.1 Cu原子通量的数值分析	第27-29页
3.2.2 IMC层模型的建立	第29-31页
3.2.3 模型的验证	第31-33页
3.3 IMC层极性生长的影响因素	第33-36页
3.3.1 电流密度对IMC层的影响	第33-35页
3.3.2 初始厚度对IMC层的影响	第35-36页
3.4 本章小结	第36-37页
第四章热电耦合下铜柱凸点失效机制研究	第37-51页
4.1 热电耦合下铜柱凸点失效模式及机理分析	第37-44页
4.1.1 铜柱凸点热电耦合失效试验	第37-38页
4.1.2 常见失效模式及机理分析	第38-44页
4.2 铜柱凸点微观组织演变规律分析	第44-50页
4.2.1 恒温时效下铜柱凸点显微组织分析	第44-46页
4.2.2 电迁移下铜柱凸点显微组织分析	第46-50页
4.3 本章小结	第50-51页
第五章铜柱凸点可靠性模型	第51-60页
5.1 引言	第51-52页
5.2 铜柱凸点电迁移失效模型	第52-55页
5.2.1 电流影响指数的确定	第52-53页
5.2.2 激活能的确定	第53-55页
5.3 可靠性模型的修正	第55-59页
5.3.1 铜柱凸点的焦耳热效应	第55-57页
5.3.2 修正后的模型	第57-59页
5.4 本章小结	第59-60页
总结与展望	第60-61页
参考文献	第61-66页
攻读硕士学位期间取得的研究成果	第66-67页
致谢	第67-68页
附表	第68页

本篇论文共68页，点击这进入下载页面。

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