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直流磁控溅射法制备氧化锡薄膜阻变存储器的研究

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直流磁控溅射法制备氧化锡薄膜阻变存储器的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第8-18页
  1.1 引言第8-9页
  1.2 电阻式随机存取存储器概述第9-16页
    1.2.1 电阻式随机存取存储器的研究现状第9-13页
    1.2.2 电阻式随机存储器导电机制第13-16页
  1.3 本论文的研究意义第16-18页
第二章 实验方法与表征第18-28页
  2.1 氧化物薄膜阻变存储器的制备方法第18-21页
    2.1.1 直流反应磁控溅射第18-20页
    2.1.2 氧化物薄膜阻变存储器的制备工艺第20-21页
  2.2 氧化物薄膜阻变存储器的表征方法第21-28页
    2.2.1 阻变薄膜及其器件的结构与成分表征第21-24页
    2.2.2 薄膜方块电阻和电阻率第24-25页
    2.2.3 薄膜厚度测试第25页
    2.2.4 薄膜光学性能测试第25-26页
    2.2.5 氧化物薄膜阻变存储器电学性能测试第26-28页
第三章 SnO_2薄膜的电致阻变特性第28-38页
  3.1 引言第28页
  3.2 SnO_2阻变薄膜的制备第28-29页
  3.3 SnO_2阻变层薄膜的性能分析第29-35页
    3.3.1 SnO_2薄膜的晶态结构、表面形貌分析第29-30页
    3.3.2 SnO_2薄膜的光学特性第30-32页
    3.3.3 SnO_2薄膜记忆单元的阻变特性第32-35页
  3.4 SnO_2薄膜阻变特性的机理讨论第35-36页
  3.5 本章小结第36-38页
第四章 SnO_2薄膜阻变存储器性能的改善第38-55页
  4.1 引言第38页
  4.2 SnO_x/MoO_x双层结构RRAM第38-44页
    4.2.1 制备与实验方法第38-39页
    4.2.2 性能测试与分析第39-43页
    4.2.3 机理讨论第43-44页
  4.3 室温制备Mo/O~(2-)deficient SnO_x/O~(2-)sufficient SnO_x/Pt结构第44-46页
    4.3.1 制备方法第44页
    4.3.2 电压电流特性第44-46页
    4.3.3 机理讨论第46页
  4.4 Ni/NiO_x/SnO_2/Pt存储单元的阻变特性第46-49页
    4.4.1 制备方法第46-47页
    4.4.2 氧化镍薄膜的表征第47页
    4.4.3 Ni/NiO_x/SnO_j/Pt 阻变特性第47-49页
  4.5 编程控制改善存储单元存储特性第49-53页
    4.5.1 器件制备方法第49页
    4.5.2 程序设计第49-51页
    4.5.3 实验结果第51-53页
  4.6 本章总结第53-55页
第五章 透明或柔性SnO_x薄膜电阻存储器的研究第55-63页
  5.1 引言第55页
  5.2 IZO/SnO_x/IZO透明存储单元第55-58页
    5.2.0 IZO透明导电氧化物薄膜第55-56页
    5.2.1 透明存储单元IZO/SnO_x/IZO/Glass的制备方法第56页
    5.2.2 透明存储单元的光学特性第56-57页
    5.2.3 透明存储单元的电学特性第57-58页
  5.3 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的研究第58-62页
    5.3.1 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的制备方法第58-59页
    5.3.2 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的形貌表征第59-60页
    5.3.3 纸基Ni/SnO_x/MoO_x/Mo存储单元的电学特性第60-62页
  5.4 本章总结第62-63页
第六章 全文总结第63-66页
参考文献第66-69页
附录 硕士生在读期间的科研成果第69-70页
致谢第70-71页

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