论文目录 | |
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 THz波简介 | 第8-9页 |
| 1.2 THz波的特性及其应用 | 第9-12页 |
| 1.2.1 THz波的特性 | 第9-10页 |
| 1.2.2 THz波的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 THz技术的发展状况及发展前景 | 第12-13页 |
| 1.4 THz波辐射源 | 第13-18页 |
| 1.5 量子阱的研究状况 | 第18-20页 |
| 1.6 论文的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 非线性极化率的量子理论的一些基本知识 | 第21-29页 |
| 2.1 量子力学的基本概念 | 第21页 |
| 2.2 电偶极矩近似 | 第21-22页 |
| 2.3 密度算符与密度矩阵 | 第22-26页 |
| 2.4 极化率张量元 | 第26-29页 |
| 第三章 非抛物效应对量子阱中二阶非线性差频和光整流系数的影响 | 第29-41页 |
| 3.1 理论计算与分析 | 第30-39页 |
| 3.1.1 导带为抛物线形时量子阱中波函数和能级值的确定 | 第30-32页 |
| 3.1.2 导带为非抛物线形时量子阱中波函数和能级值的确定 | 第32-35页 |
| 3.1.3 导带为非抛物线形对能级值的影响的讨论 | 第35-36页 |
| 3.1.4 导带为非抛物线形时对阶梯形量子阱中的二阶差频系数和光整数的影响 | 第36-39页 |
| 3.2 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 偏置电场对量子阱中折射率和非线性吸收的影响 | 第41-51页 |
| 4.1 理论模型 | 第41-45页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第45-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 利用差频过程产生THz波的理论研究 | 第51-61页 |
| 5.1 差频过程的微观动力学分析 | 第51-56页 |
| 5.2 差频晶体的选择 | 第56-58页 |
| 5.3 差频晶体相位匹配技术 | 第58-61页 |
| 第六章 利用非对称量子阱进行差频产生THz波的理论研究 | 第61-79页 |
| 6.1 GaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As非对称量子阱差频产生THz波的相位匹配 | 第61-71页 |
| 6.2 GaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As非对称量子阱对入射光和差频产生的THz波的吸收 | 第71-75页 |
| 6.3 GaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As采用非对称量子阱差频产生THz波的差频系数 | 第75-76页 |
| 6.4 多量子阱结构设计及采用量子阱进行差频产生THz波的实验装置设计 | 第76-78页 |
| 6.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
