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掺杂构型设计对InPBi电子结构的影响研究
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掺杂构型设计对InPBi电子结构的影响研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-10页
第一章 绪论
第10-16页
1.1 本论文的研究背景
第10-11页
1.2 国内外研究状况
第11-13页
1.3 研究意义和应用前景
第13-14页
1.4 本论文的主要研究内容
第14-15页
1.5 本章小结
第15-16页
第二章 计算方法的理论基础
第16-25页
2.1 固体能带结构理论
第16-19页
2.2 第一性原理
第19页
2.3 密度泛函理论
第19-21页
2.4 交换相关泛函
第21-23页
2.5 材料计算软件
第23-24页
2.6 本章小结
第24-25页
第三章 Bi_nP_m团簇的物性研究
第25-35页
3.1 团簇的模型构建及稳定结构
第25-28页
3.2 团簇的稳定性研究
第28-31页
3.3 稳定结构的分子轨道成分分析
第31-32页
3.4 稳定结构的紫外光谱和振动光谱
第32-33页
3.5 本章小结
第33-35页
第四章 InPBi体相中Bi的影响研究
第35-43页
4.1 InPBi体相模型计算方案
第35-36页
4.2 应力作用和化学作用对能带弯曲的影响
第36-37页
4.3 单Bi原子掺杂对能带结构的影响
第37-39页
4.4 多Bi原子掺杂影响的研究
第39-41页
4.4.1 多Bi原子掺杂构型设计
第39-40页
4.4.2 不同掺杂构型对能带结构的影响
第40-41页
4.6 本章小结
第41-43页
第五章 总结与展望
第43-45页
5.1 总结
第43-44页
5.2 展望
第44-45页
参考文献
第45-49页
致谢
第49-50页
攻读硕士期间发表论文情况
第50页
本篇论文共
50
页,
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。
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