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掺杂构型设计对InPBi电子结构的影响研究

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掺杂构型设计对InPBi电子结构的影响研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-16页
  1.1 本论文的研究背景第10-11页
  1.2 国内外研究状况第11-13页
  1.3 研究意义和应用前景第13-14页
  1.4 本论文的主要研究内容第14-15页
  1.5 本章小结第15-16页
第二章 计算方法的理论基础第16-25页
  2.1 固体能带结构理论第16-19页
  2.2 第一性原理第19页
  2.3 密度泛函理论第19-21页
  2.4 交换相关泛函第21-23页
  2.5 材料计算软件第23-24页
  2.6 本章小结第24-25页
第三章 Bi_nP_m团簇的物性研究第25-35页
  3.1 团簇的模型构建及稳定结构第25-28页
  3.2 团簇的稳定性研究第28-31页
  3.3 稳定结构的分子轨道成分分析第31-32页
  3.4 稳定结构的紫外光谱和振动光谱第32-33页
  3.5 本章小结第33-35页
第四章 InPBi体相中Bi的影响研究第35-43页
  4.1 InPBi体相模型计算方案第35-36页
  4.2 应力作用和化学作用对能带弯曲的影响第36-37页
  4.3 单Bi原子掺杂对能带结构的影响第37-39页
  4.4 多Bi原子掺杂影响的研究第39-41页
    4.4.1 多Bi原子掺杂构型设计第39-40页
    4.4.2 不同掺杂构型对能带结构的影响第40-41页
  4.6 本章小结第41-43页
第五章 总结与展望第43-45页
  5.1 总结第43-44页
  5.2 展望第44-45页
参考文献第45-49页
致谢第49-50页
攻读硕士期间发表论文情况第50页

本篇论文共50页,点击这进入下载页面
 
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