论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第10-14页 |
| 1.1.1 霍尔效应 | 第10页 |
| 1.1.2 量子霍尔效应 | 第10-12页 |
| 1.1.3 量子自旋霍尔效应与二维拓扑绝缘体 | 第12-13页 |
| 1.1.4 三维拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| 1.2 拓扑超导体与马约拉纳费米子 | 第14-19页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验仪器及其工作原理 | 第20-39页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第20-26页 |
| 2.1.1 真空的概念 | 第20-21页 |
| 2.1.2 真空的获得 | 第21-25页 |
| 2.1.3 真空的测量 | 第25-26页 |
| 2.2 分子束外延技术 | 第26-30页 |
| 2.2.1 分子束外延特点 | 第26-27页 |
| 2.2.2 分子束外延设备 | 第27-29页 |
| 2.2.3 分子束外延监控—反射式高能电子衍射(RHEED) | 第29-30页 |
| 2.3 扫描隧道显微镜技术 | 第30-39页 |
| 2.3.1 隧穿效应 | 第30-33页 |
| 2.3.2 扫描隧道显微镜系统 | 第33-35页 |
| 2.3.3 扫描隧道谱 | 第35-36页 |
| 2.3.4 STM针尖的制备与处理 | 第36-39页 |
| 第三章 PdTe_2/Bi_2Te_3 异质结的MBE生长与STM研究 | 第39-63页 |
| 3.1 研究背景 | 第39-44页 |
| 3.2 外延石墨烯衬底上PdTe_2 薄膜的STM研究 | 第44-48页 |
| 3.2.1 外延石墨烯衬底的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.2 外延石墨烯衬底上PdTe_2 薄膜的MBE生长 | 第45-47页 |
| 3.2.3 PdTe_2 薄膜的STM表征 | 第47-48页 |
| 3.3 Bi_2Te_3上PdTe_2 薄膜的STM研究 | 第48-57页 |
| 3.3.1 外延石墨衬底上Bi_2Te_3的MBE生长与STM研究 | 第48-51页 |
| 3.3.2 Bi_2Te_3 上低覆盖度PdTe_2 薄膜的STM研究 | 第51-55页 |
| 3.3.3 Bi_2Te_3 上低覆盖度PdTe_2 薄膜的STS研究 | 第55-57页 |
| 3.4 Bi_2Te_3 上生长PdTe_2 薄膜的非原位抗磁测量 | 第57-62页 |
| 3.4.1 Bi_2Te_3 上高覆盖度PdTe_2 薄膜的MBE生长及STM研究 | 第57-59页 |
| 3.4.2 PdTe_2/Bi_2Te_3 异质结非原位超导信号探测 | 第59-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 全文总结 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第74-76页 |
